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실험을 바탕으로 200nm 두께로 강유전성 물질을 박막 하였다. 이번 실험과는 비슷한 강유전성 물질이 다르기 때문에 두께는 똑같이 해도 될 거 같다.
● 실험 설계 결과
○ 열처리 온도 : 810℃
○ SBT 박막층의 두께 : 200nm 박막 제조 공정
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박막센서 개발,1차년도 / 과학기술처 / 과학기술처 / 1991년 / p 50~58 (액상법을 이용한 박막제조법)
⑥경북대학교 무기재료공학과 박막공학연구실 (겔화 과정)
(cera.knu.ac.kr/labs/cml/data/images/sol_gel.ppt ) 1.실험목적
2.실험 이론
1)졸-겔법의 분
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실험은 조교의 말에 귀 기울여서 따라만 한다면 비교적 쉽게 수행할 수 있었다. 이를 통해 강유전체의 유전 및 전기적 특성을 이해하였고 실험시 가장 중요한 것은 Si기판에 절대 불순물이 닿지 않도록 주의 해야 한다는 것이다. 또 RCA세정시
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기초
② 실험 기술
(3) 이온을 이용하는 방법과 음극 스퍼터링
① 2극 스퍼터링의 원리
② 음극 스퍼터링의 몇 가지 특수한 장치
③ 저압 음극 스퍼터링
④ 이온 프레이팅과 이온빔을 이용한 방법
5) 막의 두께 측정방법
6) 향후의 전망
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다.
<그림 1-20.1 PLD 기본원리>
◎ 참고문헌 : 반도체 제조장치 입문, 전전 화부, 성안당
집적회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정, 정항근, 홍릉과학
실리콘 공정기술 입문, 김종성, 동영 출판사
박막공학의 기초, 최시영, 일진사 없음
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