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전계효과 트랜지스터, 대한전기학회, 2010 Ⅰ. 산화와 광화학산화제
1. 질소산화물의 광화학반응
2. 휘발성유기화합물의 광화학반응
1) 탄화수소(RH)와 하이드록실기(hydroxyl radical : OH?)의 광화학반응
2) 알데하이드기(aldehyde radical : RCHO)와
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실험 목적
드레인 전류 ID에 대한 드레인 소스 전압 VDS와 게이트-소스 사이의 전압 VGS의 영향을 결정한다
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트랜지스터의 필요성
진공관의 증폭기능을 대체!
장점
1. 크기가 작다
2. 소비전력이 작다
3. 수명이 매우 길다
또다른 기능 - 스위칭 트랜지스터의 구성과 구조
종류와 동작원리
트랜지스터의 기능
FET(전계효과
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전계효과트랜지스터(CNT-FET) 연구
- 반도체 성질을 갖는 나노튜브를 제작을 통해 CNT-FET 시제품 개발(IBM) → 3～5년후 평면디스플레이 등에 실용화(IBM)
- single-CNT를 이용한 Top-gate형 수직구조 CNT-FET 제작 및 30K 동작확인에 성공(삼성)
- 20나노미터
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트랜지스터의 동작이 일어나도록 되어 전열 파괴 전압이 변화한다. 또 이 고전계는 핫 캐리어를 절연물 중으로 주입시켜 문턱 전압을 이동하는 외에 상호 콘닥턴스를 저하시키게 된다.
단채널 효과는 바람직하지 않으므로 크기 및 전압을 작
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전계효과이동도가 10 ~ 500 cm2/Vs로 비정질 Si TFT의 수백배이다.
○ 저온다결정 Si TFT는 픽셀의 구동을 위해 TFT의 크기를 줄일 수 있어 고해상도 및 고개구율의 구현에 유리하다.
○ 저온다결정 Si TFT는 전하의 이동속도가 빨라 구동회로를 유리기
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전계 방출 디스플레이는 픽셀마다 전자축을 설치해서 형광체에 비친다. 작동 방식이 기존 브라운관과 유사하면서도 평판으로 되어 있어 차세대 평판 브라운관이라고도 한다. FED의 음극판 패널은 전자를 방출하는 마이크로 칩으로 구성되어
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트랜지스터 특성 분석
○ 연구 기대 효과
본 연구를 통해 고성능 양자점 트랜지스터 개발을 통한 전자 소자 기술 발전 및 양자 컴퓨팅 등 새로운 응용 분야 개척을 통해 국내 물리학 연구 수준 향상을 기대하고 있습니다.
이제 이곳에 진학하
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효과를 얻을 수 있습니다.
1) 반도체 소자의 성능 향상
- 기존 실리콘 기반 반도체 소자의 성능을 개선하여 고속·저전력 반도체 기술 발전에 기여할 수 있습니다.
- 2차원 소재를 활용한 신개념 트랜지스터 연구를 통해 차세대 반도체 기술 개
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트랜지스터의 전류-전압 특성을 설명하시오.
□ 반도체의 도핑 과정과 그 효과에 대해 설명하시오.
4. 디지털 논리 회로 (Digital Logic Circuits)
□ 기본 논리 게이트(AND, OR, NOT, NAND, NOR, XOR, XNOR)의 진리표를 작성하시오.
□ 플립플롭(flip-flop)의 종
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9. 다룰 줄 아는 프로그램은?
10. 당사 지원동기는?
11. 트랜지스터에 대해 설명해보라.
12. 자기소개를 해보라.
13. 영어로 이성친구를 소개해보라. 1. 성장과정
2. 성격의 장단점
3. 특기사항
4. 지원동기 및 입사 후 포부
5. 면접기출문제
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