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전자기계 공업회 표준 규격인 EIAJ에 의한 표시로 2SA.., 2SB..., IS..., 2SF..., 2SM..., 등의 형명이 사용되고 있으며 우리나라에서는 주로 일본 형명 호칭법을 많이 사용하고 있다. 형명구성은 5항으로 되어 있고, 각각의 뜻은 다음과 같다.
2
S
A
735
A
1
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실험도구의 규모도 작았고, 조원들 대부분이 기초전기전자의 수업을 들었기 때문에 간단한 실험인 줄 알았다. 게다가 조원들 중 몇 명이 아르바이트를 통해서 이런 종류의 일을 해봤다고 해서 실험이 빨리 끝날 줄 알았다. 하지만 막상 실험
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실험 목적에 맞게 실험을 모두 마칠 수 있었다. 또한 당연한 결과처럼 알고 있었던 기초 전기 전자의 지식이 옳다는 것도 실험을 통하여 직접 눈으로 확인 할 수 있었던 기회였던 것 같다.
6. 실험후기
오늘의 실험은 오실로스코프의 조작법과
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L): TTL/CMOS 논리회로의 입력파형으로 고정논리레벨을 갖는 파형을 인가할때 사용.
DC OFFSET(PULL): 출력신호에 양 또는 음의 DC 성분을 첨가할 수 있다.
OUTPUT: 주 출력이 출력 임피던스 50Ω으로 출력되는 BNC 단.
AMPLITUDE: 출력신호의 레벨을 0에서 -2
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1.측정값
a. 직류전압측정
b. 교류전압측정
2.실험 결과
3.질문 및 토의
4.결론 및 검토 1.측정값
a. 직류전압측정
b. 교류전압측정
2.실험 결과
3.질문 및 토의
4.결론 및 검토
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을 사용하여 디지털 논리기능과 메모리 기능을 실현할 수도 있습니다. 이런 이유로 현재 대부분의 초대규모집적회로(VLSI)는 MOSFET으로 만들어집니다. 또한 MOSFET은 아날로그 집적회로설계에도 많이 이용되고 있습니다.
JFET와 MOSFET의 차이점
J F
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됩니다. 즉 FET내부의 채널이 포화된 상태가 되는 것입니다. 여기서 동작점을 어디에 두느냐에 대한 문제인 것 같은데, 일반적은 리니어로 동작을 시킬 때는 GATE전압에 따른 Id증가가 선형인 부분에서만 사용해야 하기 때문에 그 구간은 극히
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ource사이에 흐르는 전류를 조절하게 된다.
MOSFET과 BJT의 큰 차이점은 BJT의 Base에는 전류가 흐르는 반면에 MOSFET의 Gate에는 전류가 흐르지 않는다는 것이다. MOSFET는 기본적으로 Capacitor 원리를 이용한다고 생각하면 된다. [그림 6-1]과 같은 Capacitor
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→ +100uA
IB가 100uA일 때 IC가 2mA라 가정하면…
컬렉터 전류 : 2mA → 3mA → 2mA → 1mA → 2mA
VC = VCC - VRL
VRL = ICRL
* 바이어스 방법과 안정화
*이미터 바이패스 캐패시터
* 위상관계
3) 시뮬레이션 결과 1)실험 목적
2)관련 이론
3)시뮬레이션 결과
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1. 목적
2. 이론
3. RC 빈-브리지 발진기 회로 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
4. 시뮬레이션 결과
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