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(R1B1) I(R1B2) I(R1C) V(3) V(4)
1.000E+01 8.207E-04 8.151E-04 8.861E-04 1.793E+00 1.936E+00
이론값
모의실험값
측정값
오차(%)
Ib(uA)
Ic(mA)
Vb(V)
Vc(V)
*직류해석(뒷 단자)
.OP
.DC VCC 10V 10V 6
VCC 6 0 10
R2B1 6 9 68K
R2B2 9 0 10K
R2C 6 7 2.4K
R2E 8 0 240
R3E 10 0 1K
Q2 7 9 8 Q2sc1815
Q3 6 7 10 Q2s
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커패시터까지 제거한 후 전압을 측정하고 계산해봤더니 은 약 622.7Ω이 나왔다. 전자회로실험 예비보고서
8장. 베이스 접지 증폭기 및
이미터 폴로워 회로
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
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실험 결과 53
실험 6. 차동증폭기 55
1. 실험 목적 55
2. 기초이론 55
3. 실험기자재 및 부품 62
4. 실험방법 및 순서 62
5. Simulation 65
6. 실험 결과 67
실험 7. Op-Amp 기본 회로 69
1. 실험 목적 69
2. 기초이론 69
3. 예비 보고서 74
4.
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전자회로실험 예비보고서
1장. 연산 증폭기 기본 회로
1. 실험 목적
이상적인 연산증폭기의 특성을 파악하고 연산 증폭기를 이용한 기본 회로인 비반전 증폭기, 반전 증폭기, 가산 증폭기, 적분기의 회로 구성과 동작 원리를 이해한다.
2. 이론
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구형파는 PSPICE에서 VPULSE를 이용하고 V1=-5, V2=5, TD=0, TR=1P, TF=1P, PW=0.05m, PER=0.1m로 놓아라).
슬루율 : 전자회로실험 예비보고서
2장. 연산 증폭기의 비이상적 특성
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
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증폭기
2번 실험의 경우 시뮬레이션 결과에서 도출할 수 있는 AV값이 1 이하가 나왔다. 이는, 증폭기의 설계 의도에 맞지 않는 결과이다. (출력 전압이 입력 전압에 비해 오히려 적으므로) 대체한 MOSFET의 문제인지, 회로 설계의 문제인지 등의
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실험
① 연산 증폭기의 이득
위는 pspice 회로도이다.
왼쪽 그래프는 OFFSET을 3V, AMPL를 500mV 주었을 때의 시뮬레이션 결과이다. (실제 실험에서는 점진적으로 증가시키나 동작 성향을 파악하기 위해서 고정값을 설정하였다)
RR과 RF의 비가 1:1이므
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회로를 구성한다.
2. S1을 닫고, 컬렉터 회로의 전류 IC를 측정하여 기록한다. VBE, VE, VCE도 측정하여 기록한 후 IE를 계산한다.
3. 음성 신호 발생기를 1000Hz에서 최소 출력으로 조절한 후, 증폭기의 입력 단자에 연결한다. 오실로스코프의 수직 입
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실험 2. 트랜지스터 증폭기 실험 ……………………………………… 17
1. 실험 목적 ……………………………………… 17
2. 기초이론 ……………………………………… 17
3. 예비 보고서 ……………………………………… 21
4. 실험기자재
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료의 회로를 구성한다. R1 = 33kΩ, R2 = 6.8kΩ, RC = 2.7kΩ, VCC = +12V를 사용한다.
6. 베이스 노드 X와 컬렉터 노드 Y의 전압에 해당하는 VBE, VCE를 측정하여 기록한다. 이미터와 접지 사이에 전류계를 직렬 연결하여 이미터 전류 IE를 측정하여 기록한다.
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