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1. 실험 개요
- [실험11]과 [실험 12]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭기와 소오스 팔로워를 실험하였다. 이번에는 나머지 기본 증폭기 구조인 공통 게이트 증폭기에 대한 실험을 진행한다. 공통 게이트
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공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인
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실험이 매끄럽게 잘 끝났다. 원래는 2N6004를 써야 했지만 예비레포트때 2SC1815를 사용하여 실험 때도 2SC1815를 사용하였는데 시뮬레이션 돌려 본 것과 비슷하게 나왔다. 이미터 공통 증폭기의 전반적인 이론을 확인해 보는 실험이었는데 이론을
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전자적으로는 아무것도 연결을 하지 않으면 각종 노이즈나 주위 환경에 따라서 H의 입력이 될 수도 있고 L도 될 수도 있다.
소자특성마다 주위 환경등에 따라 H,L상태가 수시로 변하기 때문에 정확한 디지털 소자의 입출력에 방해를 준다.
그림
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공통드레인, 게이트 ,소스 나름대로의 이점들을 살려 다단으로 증폭기를 설계하면 좋은 이득 고입력 저출력 저항을 가지는 증폭기를 설계할 수 있습니다,
3. JFET 공통 드레인 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시뮬레이션 결과 )
JFET
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