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회로에서 RB를 낮추면?
(a) IB가 감소한다. (b) Ic가 증가한다.
(c) VCE가 증가한다. (d) 위의 모두가 일어난다.
⇒ 회로에서 RB의 값을 낮출 경우 IB=(|VEE|-0.7V)/(RB+β×RE)에서 IB값이 증가하게 되고 이것은 IC값의 증가로 이어진다. IC값이 증가하게 되면
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회로의 트랜지스터에서 β가 증가한다면 VB는?
(a) 감소한다. (b) 증가한다.
(c) 근본적으로는 그대로 유지된다.
⇒ VB=Vcc×R2/(R1+R2)에서 VB값은 전혀 β의 영향을 안 받는 것을 알 수 있다 그러므로 트랜지스터의 β의 감소나 증가로 인해서 VB값은 영
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회로에서 β값이 170에서 150으로 변한다 하더라도 IC의 값이 증가되고 감소되는 문제이지 IB의 값은 거의 변함이 없을 것이라 생각해 보았고, 그러므로 앞에서 구한 25.53uA와 거의 같을 것이라고 생각해 보았다.
2. 그림 1에서 트랜지스터의 β가
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1) 발진회로: 전기적으로 반복진동을 발생하는 전자회로. 발진을 일으키는 방식에 따라 LC발진회로•CR발진회로•수정발진회로, 사용하는 디바이스에 따라 트랜지스터발진회로•전자관발진회로•마그네트론발진회로•크라이
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또는 점접촉형 트랜지스터의 이미터 접합부분에 빛을 집중시키는 구조의 광트랜지스터는 고증폭률을 가진 pnpn(또는 npnp) 결선 트랜지스터에 상당한다. 이러한 형은 빛을 조명하였을 때, 이에 따라 발생하는 전류가 매우 커서 빛감도는 광전관
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