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,b단자에 흐르는 전류 Is를 측정하여 표 8.2에 기록하라
5) 또한 부하저항 RL을 가변저항 1[kΩ]으로 대치시키고 a,b 단자에서의
전압이 실험순서 2)에서의 V0값에 대한 절반인 1/2V0 가 되도록
가변저항을 조절한 후, 가변저항을 떼어내어 가변저항
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1. 목적
2. 이론
1) 옴의 법칙(Ohm\'s law)
(2) 테브난(Thevenin)의 정리
(2) 기본 회로
(3) 응용회로(중첩의 원리 적용, 아래 그림 참조)
(3) 노튼의 정리
3. 실험
*옴의 법칙, 테브난, 노오튼의 정리를 이용한 이론치 계산
1. RL1 = 1kΩ
2. RL2 =
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ex10 전압 분할 회로(무부하)
ex18 전압 분할 회로(부하)
3-2 ex16 키르히호프 전압법칙
ex17 키르히호프 전류법칙
3-3 ex21 최대 전력 전송
3-5 ex24 중첩의 정리
3-4 ex23 평형 브리지 회로
3-5 ex25 테브난 정리
ex26 노튼의 정리
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테브난 등가 전압원 V =
테브난 등가 저항 R = (+3(R3) = 5[Ω]
Rth 의 걸리는 전압은 10 × = 5
∴ Vth = 5[V]
(3) 회로 4-3
① 노튼 등가회로에 의해 구한 전류값
전류원 I = - = 0.5 [A]
R1, R2 의 합성저항 :
Ith = 1.5 × ∴ Ith = 272.8[mA]
(4) 회로 4-4
① 시물레이션
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시 직렬연결임을 이용하여 그 값을 측정하였다. 이번 실험을 통해 이론만으로 알고 있던 테브난 정리와 노튼 정리를 직접 회로에 적용할 수 있었고 이 뿐만 아니라 전압 분배의 법칙, 전류 분배의 법칙도 실험을 통해 확인할 수 있었다.
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법칙인 옴의 법칙, 키르호프법칙, 선형성, 테브난 정리 등을 배우며 이 또한 직접 풀어보고 실험을 통하여 확인하는 수업을 하였습니다. 마지막으로 에너지 저장소자의 전기특성, 일차 및 이차회로의 해석을 위한 미분방정식을 세우고 회로를
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그 림 3 ≫
10[V] 전원 값을 제거 했을 때의 각각에 걸리는 전류 값과 15[V] 전원 값을 제거 했을 때의 전류 값들의 합을 더하면 원래 회로의 전류 값과 같다는 사실을 알 수 있다. ● 중첩의 원리
● 테브난의 정리
● 노턴의 정리
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