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고 와 의 극성을 바꾼다.
7. 을 닫고 를 최대치로 둔다. 를 닫고 와 를 측정하여 기록한다. , 및 를 측정하여 기록하고 극성을 나타내어라.
8. 를 최소치로 두고 요구하는 대로 미터 범위를 바꾸어 , , 및 를 측정하여 기록한다.
9. 및 를 개방하여
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0.999로 하면 β는 약 1000이 되어 1000배로 증폭된 컬렉터 전류가 흐르게 된다. 이것이 트랜지스터의 증폭작용이다. □ 트랜지스터의(Diode) 개요
□ 트랜지스터의 종류 및 특성
□ 트랜지스터의 동작원리
□ 트랜지스터의 증폭작용
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. 이론
1)트랜지스터 개요
2)바이폴라 접합 트랜지스터
3)트랜지스터의 동작특성
4)BJT의 응용 : 증폭회로
실험
1)트랜지스터 검사
2)트랜지스터 특성 측정
3)이미터공통 트랜지스터 증폭회로
데이터 엑셀화,실제 빵판 사진
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특성
(1) 최대 역방향 전압(VRPM)
(2) 순방향 평균 전류(IO)
(3) 순방향 전력 손실(PD(MAX))
2. TR(트랜지스터)
3. FET
(1) FET 구조와 동작
[1] FET의 종류
[2] 접합형 FET에 흐르는 전류
[3] 절연 게이트형(MOS형) FET에 흐른 전류
[4] 감소형
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트랜지스터의 특성
실험9-1 : 정류 회로
1. 목적
2. 이론
1. 정류 회로
1.1 반파 정류 회로
1.2 전파 정류 회로
1.3 Bridge 정류 회로
1.4 평활 회로
3. 실험 기구
4. 실험 방법
실험9-2 : 트랜지스터의 특성
1. 목 적
2.
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