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회로가 되고 Loading effect가 발생하지 않게 되어 발생할 수 있는 최대 전압이득을 유도할 수 있다. 위에서도 실험을 통해 분석해 본 것과 같이 RL값이 더 커지게 되면 컬렉터 저항의 합성저항은 커지게 되므로 전체 전압이득(Av)는 증가하게 된다.
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은 0V이다. 그리고 게이트-소스간 음전압의 크기는 1.265V인 반면 VGS(off)는 2.1V로 게이트-소스간 음전압의 크기가 VGS(off)에 비해서 작다.
2. 그림 21-1의 자기바이어스 회로에서 IDSS=10mA이고 gm0=5000㎲이면, 소스전류는 대략 얼마인가?
(a) 1mA(b) 2mA(c) 5
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회로에서 동상신호제거비가 100,000:1이고 첨두간 입력전압이 10V일 때, 첨두간 출력전압은 얼마인가?
(a) 0.001V(b) 0.01V
(c) 0.1V (d) 1V
⇒ 동상신호제거비가 100,000:1에서 입력전압이 10V이고 28-1의 동상전압이득은 10000으로 첨두간 출력전압은 1V임을 알
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실험에서 제너 다이의오의 변곡점이 6.2V임을 알 수있었고, 답은 그러므로 약6V의 값이 맞다고 할 수 있겠다.
2. 다이오드 특성곡선의 어느 부분에서 제너다이오드는 개방회로와 같이 되는가?
(a) 다이오드 전압이 제너전압보다 작을 때
(b) 다이
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컬렉터-이미터전압에 다 걸리는 것을 알 수 있다. 1. 실험목적
2. 배선(회로)도
3. 실험에 사용한 소요부품 및 장비
4. 데이터표
< 데이터-컬렉터귀환 바이어스 >
Data값에 대한 분석(결론)
Discussion
실험 12장에 대한 복습문제
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실험 16장에 대한 복습문제
1. 그림 16-1의 회로에서 공통베이스 증폭기의 전압이득은 대략 얼마인가?
(a) 1 (b) 17 (c) 34 (d) 50
⇒ 이 공통 베이스 증폭기에서의 전압이득(Av)는 다음과 같다.
Av=Vout/Vin=[ic×(RC||RL)]/[ie×r\'e]=(RC||RL)/r\'e=(1kΩ||1kΩ)/30.12Ω=16.6
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되는 것이다. 트랜지스터 접합을 시험하는 법
1. 실험목적
2. 배선(회로)도
3. 실험에 사용한 소요부품 및 장비
4. 실험과정
5. 데이터표
Data값에 대한 분석(결론)
Discussion
실험 8장에 대한 복습문제
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파형과 출력 파형이 동일하다.
이유는 정의 반주기동안 Q1이 양의 파형을 양의 파형을 출력하고 부의 반주기 동안에는 충전된 캐패시터가 음의 파형을 출력하기 때문이다.
이번 실험을 통해 직류전압만 흐를 때는 트랜지스터가 증폭기로서의
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파형 또한 440kHz일 때 최대출력값(약 30mV)의 0.707배인 약 21mV에서 관찰 되었다. 이러한 오차가 발생한 이유는 로드저항(R_L) 때문이다
≪ … 중 략 … ≫
3. 고 찰
: 수동소자와 능동소자를 통해 LPF와 HPF에 대한 실험을 하였다. LPF란
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실험은 공통 컬렉터 증폭기이다.
여기서는 크게 이론치와 측정치가 크게 다를 바 없음을 볼 수 있다. 한가지 주목할 사항은 그 전압이득이 약1이라는 것이다. 하지만 이 실험으로 제대로 공통 컬렉터 증폭기의 특성을 알 아 볼 수는 없다. 왜냐
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