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광탄성 응력 측정에서 코팅 두께 영향과 주응력의 분리, 한국기술교육대학교, 2006
윤민석 외2명, 광자결정 광섬유기반 광신호 분배기 개발, 한국광학회, 2010
조병일, 광리소그래피에서의 광근접효과 보정연구, 원광대학교, 2000 Ⅰ. 광양자
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광감제가 도포된 상 태이다. 전자선의 지름은 0.05~0.025㎛이고, 실제에서는 0.2~0.1㎛의 것이 사용된다. 글씨 쓰기 속 력은 약 2㎠/min(0.5㎛ spot 로)이고, 사용되는 전유 밀도는 약 30A/㎠d이다.
⑥ 이온빔 리소그래피
이온은 전자선보다 더 잘 초점을
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리소그래피(lithography)
1) 리소그래피란?
2) 리소그래피 기술의 개요
3) 리소그래피 장치의 분류
4) 리소그래피 방법
① Photoresist coat (PR 코팅)
② Soft Bake(소프트 베이크)
③ Photo exposure(노광)
④ Develop(현상)
⑤ Hard bake(하드 베이크)
5) 향후의
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1. 리소그래피(Lithography)의 정의
노광 기술(Lithography 기술)은 마스크(mask)상에 설계된 패턴을 웨이퍼 상에 구현하는 일종의 사진기술로서 마스크 형상을 웨이퍼에 전달하는 매체로 빔, 전자, 이온 등을 사용한다.
기판인 웨이퍼 위에 원하는
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포함하는 기체를 도입하여 조절한다.
◎참고문헌 및 자료 출처
- Robert F. Pierret, 박창엽 역, 반도체소자공학, 교보문고, 초판, 1997, pp.149-164 반도체 공정과정
1. 산화
2. 확산
3. 이온주입
4. 리소그래피
5. 박막증착
6. 에피택시
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광 투과성 분광기를 제작 하였다. 이러한 공정은 전자빔 리소그래피(e-beam lithography)나 포토리소그래피(photo-lithography) 방식에 비해 시스템구성이 간단한 장점이 있다.
반응성 이온 식각공정을 위한 패턴 형상, 즉, 최저면에서 실리콘 웨이퍼의
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