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차량용 인버터의 스위칭 주파수를 종례의 약 3배인 1500Hz 이상으로 할 수 있습니다. IGBT는 Gate의 제어전력을 GTO에 비해 1/1000이하 정도 작으며 전압, 전류의 안전동작 영역도 더 넓습니다. 그리고 Gate 회로가 작아지므로 스누버 콘덴서도 소용량
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차량용 반도체 설계 기업인 독일의 인피니언과 스위스의 ST마이크로일렉트로닉스 등 해외 여러 기업이 이미 대규모 투자를 통한 R&D를 확대하고 있다. SiC 전력반도체의 개발 상태는 아직 확고하게 이루어지지 않아 시장을 선점하는 것이 매우
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하기 시작
- 구미2공장 및 미국 현지에 SiC 웨이퍼 생산 공장 증설계획
→ 6인치 SiC 웨이퍼 생산
- 2025년 기준 10배가 넘는 생산능력을 갖출 전망
- 8인치 SiC 전력반도체 웨이퍼에 대한 R&D 또한 진행 중임
ㆍDB하이텍
- 주로 8인치 반도체 웨이퍼를
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차량용 인버터의 스위칭 주파수를 종례의 약 3배인 1500Hz 이상으로 할 수 있다. IGBT는 Gate의 제어전력을 GTO에 비해 1/1000이하 정도 작으며 전압, 전류의 안전동작 영역도 더 넓다.
그리고 Gate 회로가 작아지므로 스누버 콘덴서도 소용량화 되는
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확대로 기존 실리콘 반도체를 넘어선 화합물 반도체를 개발해야 할 필요성도 커졌다. 1. 서론
2. 본론
가. 시스템 반도체
나. 차량용 반도체 개발
다. 차세대 반도체에는 어떤 것들이 있을까?
라. 반도체 공정 소모품, 파츠
3. 결론
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