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가정함으로써 설명하였으며 그 공로로 1921년에 노벨 물리학상을 수상했다.
R/E/P/O/R/T
<BLDC MOTER>
과 목 전기공학실험Ⅳ
제출일자 2009 . 10. 23
학 과 전기공학
지도교수 조윤현 교수님
분 반/ 조 2분반 4조
학 번 0753621
이 름 이 상엽
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실험 장치가 섬세하고 민감해서 실험 시 사람의 기계 접근 및 접촉에 의해서 측정 전류 값에 약간의 영향을 주는 듯 보인다. 좀 더 정밀한 측정을 위해서 실험복장(예, 손으로 기계를 작동 시 장갑을 착용)에 좀 더 신경을 쓴다면 오차를 줄일
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실험기구 및 시약 11
2.2. 실험 방법 11
3. RESULTS & DISCUSSION
3.1. Raw Data 13
3.2. Discussion 14
4. CONCLUSION 15
REFERENCE 16
Figure 1. 연료전지의 동작원리(PEFC)림 1
Figure 2. 연료전지시스템 구성도 2
Figure 3. 송배전 시스템 5
Figure 4. 연료전지
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구조
(2) J FET의 특성
(3) J FET의 동작
실험 방법
[실험 1 : 게이트 전압이 0V일 때(Vgs=0V)]
[실험 2 : 게이트와 역바이어스 걸렸을 때]
[실험 3 : 전달 특성]
[실험 4 : 자기 바이어스 공통-소스 증폭기]
사용부품 및 계기
실험 결과
토의
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● 비정질가공 및 실험(2003 강의록 참조)
● http://w3.kunsan.ac.kr/~material/txt/TG-DTA/DTA-xtra.hwp(군산대학교 재료공학과 DSC/DTA) 1. 실험제목
2. 실험목적
3. 장치/기기
4. 실험방법
5. 실험 결과/고찰
(1) 고찰
(2) 참고
(3) 장치
(4) 특성
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달아서 측정하면 될 것이다. 다 게이트 전압이 보다 커야 한다.
D. 실험을 통하여 구한 , 그리고 을 사용하여, 바이어스 회로에 대한 회로파일을 완성하고 Spice로 해석하라.
- 1. 실험 목적
2. 사용기기 및 부품
3. 실험 내용
4. 연습문제
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실험 결과로 보아 여기에서 이상적인 막의 두께는 200A로 볼 수 있다. 1.실험 목적
2.이론적 배경
MOS 캐패시터
1) 산화공정
2) CVD 공정
3) Photo 공정
4) PVD 공정)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
1)C-V 그래프
2)I-V 그래프
3)결론
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및 제안
우리는 이번 실험을 통하여 각 시편의 열전도율을 측정하여 실험치와 이론치를 비교하고 Fourier 법칙을 이해하며 또한 전도 특성을 생각해보는 계기를 가짐으로써 우리의 일상생활에 많은 영향을 미치는 전도의 특성과 열전도율을 구
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실험 방법
높은 고온으로 설정
낮은 온도 (1번과 온도차를 이용함)
각 버튼을 누르고 각 실험치를 구함
버튼을 누르고 그에 맞는 수에 맞춰줌
전체적인 장비구성도
5. 결과
실습장 : 실온 26도
온도(‘C)
E (mV)
T (mV)
J (mV)
K (mV)
91
0.529
2.525
3.100
2.409
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contact을 나타낸다. 억셉터가 도핑된 p-type 반도체의 경우에는 반대로 금속의 일함수보다 p-type 반도체의 일함수가 작은 경우에 ohmic contact(I-V 특성이 선형), 반대의 경우에 Schottky contact을 나타낸다는 것을 실험적으로 관찰할 수 있었다.
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