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-Transistor-Free(0T/1R) Non-volatile Resistance Random Access Memory(PRAM) Using a Novel Threshold Switching, Self-Rectifying Chalcogenide Device". 2003 IEDM Technical Digest, 2004
박재근, “Nano SIO Process Lab.”,<http://asmddc.hanyang.ac.kr/research/image/img19.jpg>
박재근 · 백운규. <PoRAN
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68,169
7,388
21,131,014
1,500,000,000
0.004
0.07
0.04
71101
2989
13,209,000,000
65,978
7,388
19,091,972
1,500,000,000
0.02
0.03
0.04
67383
2990
12,491,000,000
66,742
24,010
20,382,030
1,500,000,000
0.04
0.06
0.04
68039
2991
10,352,000,000
69,895
24,010
18,987,724
1,500,000,000
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