|
c-V 특성 곡선을 관찰한다.
4C-V 측정
1.샘플을 측정대에 고정시키고 probe로 게이트를 샘플에 접촉시킨다
2.BLP Folder (ENTER)
3.BASIC.EXE 실행 (ENTER)
4.F5(LOAD)을 실행 LOAD"PNCV"(ENTER)
5.F3(RUN)을 실행 INPUT FILE NAME? FILE name .dat (ENTER)
6.측정하고 싶은 값을 넣는
|
|
|
C-V 측정으로써 알아볼 수 있고, 이러한 조건으로 소자를 만든다면 전기적으로 우수한 이상적인 MOS Capacitor를 제조할 수 있다. 1. 실험목적-------------------2
2. 관련이론-------------------2
3. 실험방법-------------------3
4. 실험결과----------------
|
|
|
측정된다. MOS 커패시터에는 세가지 중요한 동작상태 즉 축적, 공핍, 반전이 있다. 일반적으로 고주파는 1MHz 정도이고 저주파는 5에서 100Hz의 범위에 있다. 절연막 두께, 기판농도 및 VT와 같은 MOS 소자의 다양한 변수가 C-V 특성으로부터 얻어진
|
|
|
9.25us가 측정되었다. 오차는 7.5%였다. 오차의 원인은 도선과, FG의 내부저항 등으로 생각된다.
2.4 FG, 저항, 커패시터의 순서로 연결하고 저항의 양단에 scope의 단자를 연결하였을 때의 파형을 측정하고 스케치하라. 왜 이러한 파형이 나타나는가
|
|
|
측정하는 법을 처음에는 알지 못하여 힘들었지만 교수님의 설명을 들은 후 그 설명에 맞게 가변저항을 측정해 보니 그 사용 방법과 측정 방법에 대해 쉽게 알 수 있었다. 즉 3개의 핀 중에서 가장 먼 거리에 있는 핀(예를 들면 왼쪽에서 순서대
|
|
|
C-V)을 측정함으로써 도핑농도를 알 수 있음을 의미한다.
도핑농도를 모르는 반도체를 취급해야 할 경우가 과연 있는가? 예를 들어 어떤 시편을 화학증착법(CVD)이나 분자빔 에피택시(molecular beamepitaxy)등으로 금방 성장시킨 경우도 이에 해당하
|
|
|
C-V measurement and main uses of C-V curve
3.1 C-V curve의 장단점
3.2 Criteria for impedance measurement
3.2.1 Basic equipments for impedance measurement
3.2.2 Measurement functions of 4192A
3.2.3 Measurement range
3.2.4 Impedance measurement
3.2.5 Internal dc bias
3.3 C-V 측정
|
|
|
측정하여 기록하라.
▶ Ω + = = 10V, = 2.977V = 9.3259MΩ
4.2 실험계획 3.2를 참조하여 DMM의 내부저항과 2.2 F의 커패시터를 이용하여 RC 시정수를 측정하라. 또 시계를 이용하여 충전시간을 측정하거나 방전시간을 측정하는 방법으로 RC 시정
|
|
|
.
전 압(V)
시 간(s)
충전시
방전시
3.7V
25
22
1.35V
55
47
0.497(충전)/0.04V(방전)
1:35
4:00
4.3 FG의 출력을 0.5V의 사각파(high=0.5V, low=0V, 듀티사이클 = 50%)로 하라. 실험계획 3.3, 3.4, 3.5를 참조하여 FG 출력파형, 저항전압파형, 커패시터전압파형을 측정하여
|
|
|
측정값이 상당히 근접함을 보여준다. 아래 그림은 시뮬레이션으로 얻은 이상적인 RL회로의 L양단의 파형이다. RC보다 RL에서 보다 더 정확한 실험이 가능한 이유는, 실험 방법의 차이 때문인데, 커패시터의 경우는 커패시터의 값을 알고 실험을
|
|
메뉴펼치기
