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Dual damascene공정을 통한 구리 배성 형성 방법에 대하여 자세히 기술되었다. 1. Why Cu interconnect?
2. Benifits of Cu interconnect
3. Cu/Low k interconnect challenges
4. Metallization process comparison
5. Dual Damascene Approaches
6. Major challenges of Cu interconnect
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dual damascene(매입 공정, 상감공정 : 절연층에 구멍을 제작한 후 도체인 배선 물질을 나중에 매입하는 방식의 공정)에 의한 배선 공정이 개발되어 구리의 본격적인 반도체 배선물질로의 사용이 가능하여 졌다. 이 공정은 금속 식각에서 발생하는
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