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실험 목적
드레인 전류 ID에 대한 드레인 소스 전압 VDS와 게이트-소스 사이의 전압 VGS의 영향을 결정한다
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영향
3. 용도
Ⅶ. 산화와 금속산화막반도체전계효과트랜지스터
1. 구조적 특징
2. 동작 특성
1) Depletion MOS FET
2) Enhancement type
3. Depletion type의 장점
4. Enhancement type의 장점
Ⅷ. 산화와 산화전분
1. 파열강도
2. 수직압축강도
참고문헌
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트랜지스터의 필요성
진공관의 증폭기능을 대체!
장점
1. 크기가 작다
2. 소비전력이 작다
3. 수명이 매우 길다
또다른 기능 - 스위칭 트랜지스터의 구성과 구조
종류와 동작원리
트랜지스터의 기능
FET(전계효과
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FET전계효과 트랜지스터)를 냉가시키지 않으면 고성능을 얻을 수 없다.
반도체 검출기의 종류와 구조
형
구조
공핍층의 두께
비고
확산 pn접합형
n -p
p -n
<5
Si
Si β선 측정에 적합
표면 장벽형
p-n
<5
제조가 용이, 열처리를 하 방사선 선량
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FET전계효과 트랜지스터)를 냉가시키지 않으면 고성능을 얻을 수 없다.
반도체 검출기의 종류와 구조
형
구조
공핍층의 두께
비고
확산 pn접합형
n -p
p -n
<5
Si
Si β선 측정에 적합
표면 장벽형
p-n
<5
제조가 용이, 열처리를 하 1.방사선 검
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