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로 IGBT가 ON되 기 때문이다.초퍼 회로 등에 사용할 경우 IGBT를 사용하지 않고 FWD 만 사용할 수 있는 케이스에서는 반드시 게이트-이미터간을 쇼트해놓는 것이 중요하다(후술하는 바와 같이 역 바이어스 를 걸어두는 것도 좋다). 또 회로를 작성
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IGBT의 용량은 대부분 600V, 1200V 정도의 항복전압에
전류용량은 10A내외의 것이 많습니다. 주로 Inverter에 많이 사용되고 있으며 최근에는 자동차의 injection coil driver 나 PDP 구동 driver에 적용되고 있기도 합니다.
* SCR (실리콘 제어정류기)
SCR(Silicon C
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IGBT는 GTO에 비해 제어전력이 적고, 스위칭 시간이 짧은 특징을 가지고 있다. IGBT의 스위칭 시간은 GTO의 약 1/6 수준이며, 이것은 철도차량용 인버터의 스위칭 주파수를 종례의 약 3배인 1500Hz 이상으로 할 수 있다. IGBT는 Gate의 제어전력을 GTO에
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용이하므로 고속전철용 전원장치에 널리 활용
IGBT 단면도
IGBT 등가회로
※ 3상인버터의 정현파 PWM 제어는 일정한 직류 입력전압 로부터 크기와 주파수가 가변될 수 있는 평형 3상의 제어 출력전압을 얻을 경우 가장 널리 사용되는 출력전압 제
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상태
[8] MOSFET- Channel에 절연 Gate를 사용하여 D-S간 전류를 제어.
[9] FET Switching Circuits.
[10] FET Switching Circuits.
[11] Thyristor-SCR(역저지 3단자 사이리스터)-실리콘 제어 정류소자
[12] SCR 턴온 과정
[13] SCR 턴 오프 방법
[14] IGBT
[15] IGBT
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IGBT 공정 개발 및 양산 대응 경험을 바탕으로, 전기차, 산업용 인버터, 태양광 인버터 등의 응용처에서 요구하는 높은 신뢰성과 정밀한 특성 제어에 기여할 수 있다고 확신합니다. 입사 후에는 DB하이텍의 공정 플랫폼에 적합한 FS IGBT 또는 Trenc
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