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JFET의 전안-전류 특성을 알아보는 실험이다. 시뮬레이션의 주된 목적은 Vgs와 Vds의 변화를 주어 그에따른 Id 변화를 관찰하는 것이다. 시뮬레이션 결과 Vgs의 크기가 양수로 커질 경우 saturation region에서의 Id크기는 점점 줄어드는 것을 관찰 할
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JFET인 경우 분명히 마이너스일 것이다.
3) 전류 전압 특성
I_DSS = KV_t^2 =KV_p^2
JFET 특성들은 MOSFET에 대해 사용했던 식들로 기술될 수 있다. 구체적으로,
V_t
를
V_p
로 명칭을 갈면, 우리는 다음과 같이 쓸 수 있을 것이다. 즉, n 채널 JFET는
v_GS <
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JFET 전압-전류 특성 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
VGG 값 0.5에서 0.5v씩 증가, 3.5v까지 측정 )
시뮬레이션 결과 )
y축 상단에서부터 Vgs값이 -0.5, -1.0, -1.5, -2.0, -2.5, -3.0, -3.5v값을 지닌다. 1. 목적
2. 이론
3. JFET 전압-전류 특성 P-spice 시
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JFET 와 MOSFET의 차이점
① 구조적
② 기능적
JFET는 게이트의 전압이 0V일때 드레인 전류가 관통하는 채널의 폭이 최대이기 때문에 상시개통(normally ON)\'소자라고 한다. G-S의 pn 접합에 가한 역 바이어스의 크기가 클수록 채널의 유효폭이 줄어든
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편, 『전자통신기초실험』, 도서출판 상학당, 2009, pp248-258.
Thomas L. Floyd, 장학신, 이원석, 김창수 역, 『Electronic Devices』, 광문각, 2008. pp326-332.
위키백과, JFET, http://en.wikipedia.org/wiki/Jfet 1. 실험 결과
2. 검토사항
3. 연습문제
4. 참고문헌
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