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전류에 의해 불균형이 나타나게 된다. 이러한 다리의 균형은 매우 높은 주파수에서는 사용될 수 없다. 이는 코일이 공진회로에 놓여질 경우 damping과 detuning이 되기 때문이다. 이 측정방법은 비파괴 방법이라는 장점과 증착과정 제어에 매우 유
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박막을 기판 위에 증착할 수 있는 장비로 고융점에서 증착이 가능하고 증착속도가 바른 장점이 있다. E-beam Evaporator의 원리는 E-beam Source인 hot filament에 전류를 공급하여 나오는 전자 beam을 전자석에 의한 자기장으로 유도하여 증착재료에 위치
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박막을 형성한다.
3) 이온 주입법
이온 주입법은 반응성 전자 빔 증발법으로 물리적 기상 증착법의 한 종류이다. 스퍼터링은 아르곤 이온의 충돌에 의하여 금속 표면으로부터 코팅 재료를 분리시키는 방법이지만 이온 주입법은 저 전압 아크
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박막이 형성되게 된다.
특징 및 장점
진공증착에서 증발된 기체들은 오로지 열 에너지로 인한 것이므로 에너지가 충분히 높질 못하여 밀착력이 떨어질 수 있다는 단점이 있다. 또한 증발입자의 움직임은 직선운동을 하기 때문에 입체적 모양
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증착
전극 형성
절연 보호층 증착
SOI (Silicon-on–Insulator) 기판
SOI(Silicon-on-Insulator)
실리콘/산화막/실리콘
기판의 구조
산화막 절연체 위에 상부실리콘 존재
소자 제작시, 일반 실리콘 기판에 비해 동작 속도가 빠르며 누설 전류가
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박막에서 서로 결합하여 부풀어 오르거나 결합이 되지 않는다. 하지만 탄소는 다이아몬드와 같은 결정 구조에서는 공유결합을 통하여 자연에서 가장 강한 물질이 된다. 또한 Graphite는 2차원 구조의 면을 형성하고 3차원적인 결합은 매우 약한
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