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어 테라급 나노소자 사업단) 및 민간부분 (삼성전자)에서 각각 PRAM Feasibility 연구에 착수하였고 2003년에 삼성전자가 상용화 가능성이 높은 NMOS Transistor를 이용한 상변화 메모리 셀 실험시작품을 개발하여 발표 (Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop
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PRAM device using GexSbyTez. That was first time of PRAM technology application. That chip name is Ovonic Unified Memory(OUM) ,made by 0.18㎛ CMOS process , and demonstrate possibility to combination PRAM with CMOS process
Ovonyx Corp. AFRL. BAE systems make by using radiation-hardened CMOS process
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Ovonyx사와 공동으로 연구개발팀을 만들어 PRAM 기술의 실용화에 착수했다. 2004년 6월에 열린 VLSI 심포지엄에 0.18㎛ CMOS 공정을 이용하여 칩면적이 0.32㎛2을 가진 8Mbit PRAM을 발표했다.
일본은 동일 재료를 사용하고 있는 광정보저장 분야에서 세계
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PRAM(Phase change Random Access Memory)
1. 상변화 기술이론
2. PRAM
3. 국내의 기술개발 현황
Ⅱ. FRAM (Ferroelectrics Random Access Memory)
1. FRAM의 도입
2. 이상적인 비휘발성 메모리, FRAM
3. 전기분극 벡터의 중요성
4. 잔류분극을 이용한 2진법 메모리, FRAM
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하기 위해서 PRAM 구조에서 데이터 저장을 위해 상변화에 필요한 열을 공급하여 상변화 물질을 비정질 또는 결정질 상태로 만드는 역할을 하는 Pore, 또는 Contact의 크기를 가능한 최소화시켜야 한다. 특히 전극형 소자에서는 전기적 스위칭 동작
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PRAM) Using a Novel Threshold Switching, Self-Rectifying Chalcogenide Device\". 2003 IEDM Technical Digest, 2004
박재근, “Nano SIO Process Lab.”,<http://asmddc.hanyang.ac.kr/research/image/img19.jpg>
박재근 · 백운규. <PoRAN 최근 연구 동향 및 향후 개발 방향>. 물리학과 첨단
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