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PRAM의 장/단점 및 문제해결방안
1) PRAM의 장점
2) PRAM의 단점
4. 각 기업별 앞으로의 PRAM 기술 개발 동향
1) Ovonyx사
2) Intel사
3) ETRI
4) 삼성 사
5) Kanazawa 대학과 Hitachi사
6) STMMicroelectronics사
7) 전체적인 PRAM 기술전망
5. 결론
※ 참
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기술 개발의 축적된 기술이 활용되면 단기간에 PRAM이 유니버설 메모리로서 가능성을 펼쳐 보일 수 있을 것으로 기대 된다.
IV. 참고 자료
[1] 유병곤, 조경익, 강영일, “정보통신핵심부품 기술 동향 및 기술 진화 전망” 주간기술동향, 1000호 발
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PRAM PPT 자료
(5) 고광석 (상변화 기술분석)
(6) 상변화 메모리 소자설계용 요소기술 개발에 관한 연구 ( 과학기술부 )
(7) 비휘발성 메모리 소자 기술 동향 (KIST 허운행)
9 1.서론
2. 상변화 기술이론
(2.1) 기본이론
(2.2) 상변화 기록 및 재생
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기술
2. 자기저항 (magnetoresistance)
3. 자기저항 메카니즘
4. MRAM이란
5. MRAM의 기본 원리
6. MRAM의 구조
7. 스핀트로닉스(Spintronics)
8. 향후 전망
Ⅳ. PRAM, FRAM, MRAM의 비교
1. PRAM 소자의 장점과 단점
2. FRAM 소자의 장점과 단점
3. MRAM 소자의 장점
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기술과 자기기록매체기술, 그리고 비휘발성 MRAM소자에 대한 고찰을 통해 앞으로의 기술발전 전망을 하고자 한다. 1.서론
2.자기를 이용한 초고밀도 기록/저장 기술
2.1 재생 헤드용 거대 자기저항 기술
2.2 자기기록매체 기술
2.3 비휘
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