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측정해 동작을 확인하는 과정을 가졌다. 브릿지 회로의 경우에서 또한 같은 특성을 볼 수 있었고 이렇게 여러가지 실험을 통해 다이오드라는 소자의 여러 활용법에 대해 많은 것을 배울 수 있는 기회가 되었으며 설계시 필히 적용할 수 있도
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측정 연습
2. 실험목적 : 옴의 법칙을 V = I 을 확인한다.
3. 실험이론 :
(1) 옴의 법칙
(2) 저항
(3) 전류
(4) 전압
(5) 오실로스코프
4. 실험결과 :
A. 오실로스코프 및 함수발생기
B. 저항 측정 (100, 200, 1k, 2k, 3k)
C. 옴의 법칙 (100, 1K)
5. 분
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R전압이 -32.1418 만큼 느리다.
X-Y모드 : 기울기가 0.532인 직선
입력과 R의 전압을 동시에 관측하려면 R과 L의 위치를 바꾸면 된다.
3.9 위의 RC회로와 RL회로의 전달함수의 크기와 주파수특성을 실험적으로 구할 때 측정주파수를 각각에 대해 결정
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회로에 흘러들어가 2Ω의 저항에 5A가 흐르고, 5Ω의 저항에 2A가 흘러 합은 7A의 전류가 되는 것이다.
3.멀티미터의 기본구성
멀티미터(Multimeter)
전기량을 측정하는 계기에는 그 종류가 많으므로 실험의 목적에 따라 알맞은 실험 계기를 선택해
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저항의 경우에는 A,B,C 세 단자 중에서 A-C가 전체저항을 의미하는 것이며 A-B와 B-C의 합이 A-C전체저항이 된다는 사실을 알았습니다. 그리고 저항의 직렬+병렬 연결된 회로에서는 실험적으로 Ohm의 법칙을 확인할 수 있었습니다. 측정값의 오차를
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회로의 미지 저항 R을 구하라.
V = IR에서 ,
∴ R = =
확인문제 4. 다음 회로의 미지 전압 V를 정하라.
V = IR 에서 = ∴ V = 30V [예비 Report] -2 pages
1. 실험 목적
2. 실험 기구
3. 배경 이론
VIR 의 정의
[결과 Report]- 3 pages
1. 실험 증명
2. 결론
3
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실험회로로 결선하고 A, B 두 입력변화에 따른 출력 X의 값을 측정하라.
(2) NAND 게이트의 응용
- 그림3-8과 같은 회로를 결선하고 입력변화에 따른 출력 X, Y, Z의 값을 측정하라.
(a)
(b)
(c)
그림3-8 NAND 게이트 응용회로
(3) NOR 게이트
- 그림3-9 NOR 게
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는 내부 저항을 조사하여 측정상의 오차를 보정해야 한다.
3. 실험방법
아래 그림에서 R1 = 100[Ω], R2 = 1[㏀] 으로 회로를 결선하고 전압을 조정하면서 그때의 I0, I1, I2를 각기 측정하여 아래의 표에 기록하고 나머지 표를 완성한다.
가변전압 [V]
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실험
실험 2. 반파 정류회로 (단일 다이오드)
① 다이오드와 330Ω 저항기를 이용하여 직렬회로 구성
② 채널 B에 연결된 전압센서의 데이터 측정
③ 330Ω 저항기에 병렬로 100㎌ 축전기 연결하고 데이터 측정
④ 추가로 10Ω의 로드 저항기를
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저항에 10을 더한 후 전류를 계산하였다. 전류를 계산하는 방법은 옴의 법칙을 이용하였고, 계산한 전류와 측정된 전류를 비교해 보았을 때 오차가 5% 미만으로 작다. 이로 보아 옴의 법칙 “ V = I*R “이 성립한다는 것을 알 수 있다. 즉, 저항 R
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