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전압은 다음과 같다.
V뮤 = +1.5V -1.5V+3.0V = +3.0V
<그림 8.7>은 동일한 방향의 3개의 전압원을 직렬로 연결했을 때와 등가 전압원을 나타낸 것이다.
▶ 실험방법
(1) 다음 회로에서 각각의 저항, 전압을 측정하여 <표 8.1>에 기록하시오.
① 디
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전압이득이 100이고 동상전압이득이 0.001이면 동상신호제거는 얼마인가?
(a) 40dB(b) 60dB
(c) 80dB(d) 100dB
⇒ CMR(dB)=20log( Av(d) / Acm ) 으로 즉 20log(100/0.001) = 100dB이 나온다.
5. 그림 28-1의 회로에서 동상신호제거비가 100,000:1이고 첨두간 입력전압이 10V일
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회로가 내장되어 있기 때문에 정격전압을 인가하면 2.5Khz의 음이 발생한다.
<중략>
MCU에서 표준 주파수를 출력하기 위하여 Timer/Count 1의 CTC 모드를 이용하였다. 예를 들어 부저로 A4음계를 출력한다고 할 때 부저로 출력되는 연결핀은 O
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전압 전류식은 다음과 같다.
(2.16)
(2.17)
다음 그림은 부하 를 종단된 무손실 전송선로에 전원 와 전원 임피던스 가 연결
된 시스템으로 보여주고 있다.
그림 2.4 무손실 전송로에 부하 ZL 을 종단시킨 등가회로
부하절에서 과 인 점에서 전류와
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전압과 전류의 관계를 실험 하였는데, 실험 방법은 브레드 보드에 회로를 설치하여, 파워 서플라이로 전압을 공급해주고, DMM으로 (1KΩ)저항에 대한 전압을(VR)을 측정하면서, 각 전압에 따른 다이오드데 대한 전압(VD)값을 측정하였고, 실제 저
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회로 동작에 필요한 전압이 5V 인데 건전지는 6V 이므로 과부하를 막기위해 다이오드를 설치했다.
4. 완성품사진
0111 상태에서 클럭을 발생시킨 그림
0111 상태에서 클럭이 발생된 후에 1000으로 증가했다. (Negative edge-triggered flip-flop )
1000 상태에
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주의하라.
▶ 0.4984mA
4.7 5KΩ, 10KΩ 저항이 병렬 연결된 저항에 5KΩ 저항이 직렬 연결되어 있다. 이것의 양단에 5V 전원이 연결되어 있는 회로를 구성하라. 각각의 저항에 걸리는 전압, 각각의 전선에 흐르는 전류를 측정하여 기록하라.
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회로의 논리 함수에 영향을 주는 고장들을 모델화. 고착모델을 많이 사용
○ 파라미터 고장 모델(parametric fault model)
회로 파라미터들의 크기에 영향을 주는 고장들을 모델화
→ 회로 파라미터 : 전압(voltage), 전류(current), 구동(drive)과 전달 지
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전압강하에 어떠한 작용이 발생하며, 그 이유는 무엇인지 설명하여라.
저항이 330Ω일 때는 다이오드에 걸리는 전압은 7.36V이고 저항이 4.7㏀일 때 다이오드에 걸리는 전압은 0.6V이다. 전압에 관한 키르히호프 2법칙이란 "임의 닫힌회로를 따라
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회로의 논리 함수에 영향을 주는 고장들을 모델화. 고착모델을 많이 사용
○ 파라미터 고장 모델(parametric fault model)
회로 파라미터들의 크기에 영향을 주는 고장들을 모델화
→ 회로 파라미터 : 전압(voltage), 전류(current), 구동(drive)과 전달 지
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