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Energy가 높아지는 것처럼 junction depth가 Crystalline보다 다소 높은 것을 볼 수 있다. 이 밖에도 Amorphous의 경우 기계적인 세기나 전기적인 특성, 가공성 등이 뛰어나서 대면적의 Device 작성이 가능하며 값이 싸다.
결과적으로 Ion Implantation의 영향을
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implantation, Ciba foundation study Group on Egg Implantation, London Churchill, 1966.
SWETT, W. W. et al., Development of the fetus in the dairy cow, U.S.D.A. Tech, Bul. No. 964, 1948.
VANDEMARK, N. L. & MAUGER, R.E., Effect of energy intake on reproductive performance of dairy bulls, J. Dairy Sci.
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Energy Environ. Sci., 3, 715～726.
Zhang, Q. and Gao, L., 2003, Preparation of oxide nanocrystals with tunable morphologies by the moderate hydrothermal method: insights from rutile TiO2, Langmuir, 19(13), 967～971.
Zhang, Z., Zhong, X., Liu, S., Li, D., and Han, M., 2005, Aminolysis route to monod
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energy와 low current ion implantation 에 의해 생성될 수 있다. 이것은 gate 바로 아래에 펼쳐진 낮은 농도의 불순물을 갖는 얇은 junction이다. 유전체 층을 두고 에칭한 후, polysilicon gate의 양쪽에 sidewall spacer을 만든다. 그 다음 low energy와 high current ion impl
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Implantation)
11. 이온 주입의 특징 및 응용
12. 손상(Damage) 및 어닐링(Annealing)
박막 증착의 기술 및 공정
- 개요
1. 기화법 (Evaporation)
2. 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)
(1) CVD 장치
(2) 박막 성장 메커니즘
3. 스퍼터 증착(Sputter depo
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Implant 공정의 장비 안정성 및 공정 조건 재현성을 기반으로, 불량률 감소 및 수율 개선에 기여하겠습니다. 또한, 신규 제품 대응을 위한 고에너지 도핑, Multi-step Implant 조건 확보, 불순물 확산 제어 등에 선제적으로 대응하여 DB하이텍의 고객
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