1교시 <방사선 이론> 전기전자공학

목차

직류회로
자기
유도
정전기
교류회로
교류회로종류
과도현상
반도체
다이오드
트랜지스터 & 사이리스터
반도체소자정리

본문내용

냄
스위치특성 : On/Off 작용
결핍층(공간전하 영역)
접합부에 부동의 양이온(도우너)와 음이온(억셉터)만
남고 캐리어는 없다
트랜지스터 & 사이리스터
트랜지스터(Transistor)
세계의 반도체를 연속 접합시킨 구조(Bipolar Junction)
동작 : 전류의 증폭작용
E : 이미터 B : 베이스 C : 컬렉터
베이스영역 : 매우 작게 만듬
NPN 트랜지스터 PNP 트랜지스터
전계효과 트랜지스터(FET)
하나의 PN접합으로 구성
Gate, Drain, Source로 구성
동작 : 전류제어
Depletion형(N채널 FET) Enhancement형(P채널 PET)
사이리스터(Thyristor)
PNPN접합
애노드, 캐소드, 게이트 3극
동작 : 스위치, 정류, 위상제어(고전압, 고전류)
종류 : SCR, TRIAC, SUS, LVS
반도체소자정리
반도체
종류
기호
동작특성
접합면
다이오드
정류다이오드
정류작용
1면접합(PN)
제너다이오드
정전압 동작
트랜지스터
PNP 트랜지스터
증폭
2면접합(PNP)
NPN 트랜지스터
2면접합(NPN)
전계효과 트랜지스터
P채널
전류제어
N채널
사이리스터
PNPN
스위치
(고전압, 고전류용)
3면접합(PNPN)

키워드

방사선 물리학,   방사선 생물학,   방사선 관리학,   mri총정리,   ct총정리,   방사선 사진학,   방사선 치료학,   방사선 핵의한