삼성전자와 하이닉스

소개글

삼성전자와 하이닉스에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 삼성전자
2. 하이닉스반도체
3. 삼성전자와 하이닉스 비교분석

본문내용

로 전망 DRAM 가격의 급락으로 인한 해외 경쟁사들의 가동률 조정과 이로 인해 PC 업체들의
재고 확충 움직임이 촉발될 것이란 점을 고려 → DRAM은 4Q10말~1Q11초를 바닥으로 수급이 호전될 가능성이 더 높을 것으로 예상 DRAM 수급의 회복시점은 NAND Flash 메모리보다 1~2개월 지연될 것으로 예상
4) 2011년 메모리 반도체 CAPEX YoY 7% 감소할 전망

2011년 DRAM CAPEX는 크게 감소할 전망신규 Wafer Capacity 증설은 삼성전자의 16라인, Rexchip의 R2에 국한되어 소규모로 진행될 전망.대부분 Tech Migration으로 CAPEX가 투입될 전망이며 삼성전자의 경우 CAPEX YoY 50% 감축할 전망
NAND Flash 신규 Fab Ramp-Up 본격화Toshiba Fab5, 삼성전자 16라인, IMFS, 하이닉스 M11/12의 Wafer Capacit 증설 예정본격적 가동 시점은 예상보다 지연된 2H11에 집중될 전망
종합해볼때 메모리 반도체 총 CAPEX는 YoY 7% 감소한 160억USD로 추산됨




5) PC 시장: 대기수요 → 2Q11후반부터 실제수요로 전환

신흥시장을 중심으로 한 PC 수요는 견조할 전망. 반면, 미국, 서유럽의 PC 수요는 위축되어있는 상황.이는, Tablet PC 신제품 출시 영향, Sandy Bridge 1Q11 출시 영향으로 PC 구매 결정이 지연된 효과반면, 1) BOM 비용의 하락(PC 업체들의 수익성 개선)에 따라 PC 프로모션 강화되고 있는 추세며2) PC 재고 조정 일단락되면서 Sell-In 증가 감지되고 있음.SmartPad(또는 Tablet PC) 제품들이 소비자들에게 전달되고, Sandy Bridge의 출시가
예정되어 있는 1Q11를 지나 2Q11후반부터 지연되었던 PC 수요는 되살아날 것으로 기대.

6) 메모리 반도체 수요 : 신종 IT 기기들에 따른 긍정적 영향
대용량 NAND Flash 메모리를 탑재한 스마트폰, 스마트패드의 폭발적인 성장세가 이어질 전망 → 대당 탑재 용량 및 총 메모리 반도체 BOM을 비교해볼때 스마트폰과
스마트패드의 성장은 메모리 반도체에 긍정적 → DRAM의 경우 스마트폰에서 512MB 이상으로 용량 확대 중.
스마트패드의 경우 512MB~2GB 이상까지 확대될 전망3DTV, 스마트TV 등 고사양 TV제품에는 750MB 이상의 DRAM이 탑재되고 있는 상황MacBook Air가 매력적인 가격 조건으로 출시되면서 노트북용 NAND Flash 시장 형성이 빨라질 것으로 전망 → 동일한 Concept의 PC 제품들이 1H11에 대거 출시될 전망
→ 낸드플레시 수요 대폭 확대시킬 요인

7) 공정 기술 격차: DRAM 가격과 3rd Tier의 Cash Cost 레벨
Top Tier vs. 2’nd Tier vs. 3’rd Tier 원가 경쟁력 Gap 확대 - 3Q10 기준 삼성전자와 하이닉스 vs. Elpida/Micron vs. 3’rd Tier업체간의 원가 경쟁력 Gap: - 100% vs. 115% vs. 130~160% 내외로 추정 - 4Q10말 1Gb DDR3 DRAM 가격 US$1.3으로 가정, 삼성전자와 하이닉스의 OP Margin 대략 5% 내외로 추정 - 반면, 대만 DRAM 업체들은 Cash Cost 수준에 진입DRAM가격이 US$1.3내외로 장기간 지속될 경우 →최대 수혜는 삼성전자와 하이닉스 - 대만 DRAM 업체들은 40~30nm 공정으로 전환에 필요한 장비 Up-Grade도 어려울 전망 - 자금력/기술 경쟁력이 뛰어난 삼성전자와 하이닉스가 DRAM 시장을 독점하는 형태로 전개될 것으로 예상

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