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사용하는데 반도체 기억장치에는 롬(ROM)과 램(RAM)이 있다. 1.주기억장치
2.메모리 동작
3.메모리 작동 구조
4.CPU 및 메모리 요구사항
5.램 모듈
6.듀얼 채널 메모리
7.대기 상태
8.RAM
9.ROM
10.플래시 메모리
11.최근 동향
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메모리로서, DDR 메모리와 다른 240핀으로 구성되며 고속의 533MHz로 동작한다. 또한 고속으로 동작 시 발생하는 열을 효과적으로 방출하여 안정적인 메모리 성능을 구현하기 위한 히트 스프레더가 장착되어 있다. 1GB 키트는 듀얼 채널 구성 시
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메모리를 L3까지 사용하 며, 3단의 캐쉬메모리(L1 : 128KB,L2:1MB,L3:8MB)를 지녔고, HT기술이 들어간 cpu.
기존의 메인보드들과 다른 X58 칩셋을 사용하며 트리플 채널을 지원합니다.
말하자면 기존 듀얼 코어가 2,4,8 이런식으로 채널을 지원했다면 이
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메모리의 최대 전송 속도 계산
메모리의 최대 전송속도를 구하는 공식은 다음과 같습니다.
메모리의 최대 전송속도 = 클록 × 버스
단, DDR SDRAM의 경우에 듀얼채널이 지원하는 경우는 2배수를 해줍니다.
RDRAM의 경우는 듀얼채널이므로 2배수를
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메모리 컨트롤러 – 듀얼채널 DDR3-1333, 1600최대 32GB
용어 설명 :
소켓 – 회로의 고정 부분 끝에 있는 장치 , 소켓에 플러그를 삽입하면 회로가 연결
코어 – 컴퓨터 기억 장치를 구성하는 소자의 하나로 도넛모양을 한다.
컨트롤러
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