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실험 재료의 저항이 낮게 나온 걸로 봐서 측정시간이 10분이 더 길고 두께 때문에 증착이 재료에 더 많이 붙어서 전류의 흐름을 더 좋게 한다는 것을 알 수가 있었다. B조와 C조는 AZO로서 저항값이 높게 측정이 되는 걸로 보아서 반도체에서 전
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박막크로마토그래피 실험의 목적은 실험을 통하여 크로마토그래피의 원리를 분명히 이해하고, TLC의 활용도에 대해 생각하는 것이다.
전개능력이 가장 큰 용매를 찾는 실험에서 가장 전개 능력이 큰 용매는 A였다.
실험결과 미지시료는 용액 t
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박막 재료 분석에 있어 PL은 매우 유용한 정보를 제공할 수 있으며, 절연체내의 이온에 대한 내부 복사전이 연구등 기타 여러 가지 고체 시료의 특성 분석에도 유용하게 사용될 수 있다고 한다. 1. 실험방법
2. 실험결과
3. 논의 및 고찰
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박막을 입히기 위함이다. 하지만 이번 실험에서는 장비성능상 충분히 높은 진공 상태를 만들 수 없었고 따라서 챔버내의 이물질들로 인해 접착력이 떨어졌다고 생각한다. 또 증착될 기판의 표면이 처음부터 깨끗하지 못했을 수도 있다. 이는
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박막 투과도인 85-87%에 도달하지 못하였다. 그 이유는 실험과정에서 투과도에 대부분 영향을 미치는 산소를 공급하지 않았기 때문이다. 하지만 산소도 적정량을 공급해야하는데, 산소를 공급함으로써 Oxide gap이 넓어지면서 투과도가 증가하는
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제 3 장. 실험 방법 30
제 1 절 기판 및 시약 준비 30
제 2 절 OTS 증착 31
제 3 절 MIS 커패시터의 제작 34
제 4 장. 실험 결과 38
제 1 절 누설전류 특성 38
제 2 절 펜타센 증착 표면 43
제 5 장. 결 론 51
참고문헌 52
Abstract 55
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실험은 RF Magnetic sputtering 을 이용 하여 박막을 여러 조건 별로 성장하여 그 특성을 I-V 곡선을 이용하여 분석하고 전기적인 특성을 비교하였다. 이로써 NiO 박막을 이용하여 ReRAM을 구현 할 수 있다는 사실을 알 수 있는 실험이었다.
이번 실험은
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가하는 것을 알 수 있었다.
그림 4 Curve
VD 값을 0.5V로 고정 하고 Curve를 나타낸 그림 5 에서 선형영역의 기울기를 통해 x절편 값인 VT의 값이 0.96V 임을 구할 수 있었고, PVP dielectric의 두께는 -stepper로 미리 예상치를 실험해 130nm값을 측정하였다.
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박막 합성 최적화' 연구에 참여했습니다. 이 과정에서 MoS2 박막 합성 실험과 OM 및 AFM 분석을 통해 공정 매개변수에 대한 광범위한 데이터를 수집했습니다. 연구팀은 4가지 주요 공정 매개변수를 조정하여 중요한 연구 성과를 달성했습니다.
첫
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실험에서도 마찬가지로 다양한 회로도의 기호에 대하여 알아보며 저항을 위한 실험을 위하여 저항기 색 코드와 저항값 측정 방법에 대하여 습득하였습니다. 전류계, 전압계, 멀티미터 등을 활용하여 각종 회로의 전압, 전류 등의 측정 방법에
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s에 학술탐방을 다녀왔습니다. 이곳에서 웨이퍼가공장비, 생산 실험용 테스트 장비, 제품(검사, 측정, 계측), 박막 제조 장비에 관련된 심화된 공부를 할 수 있었습니다. 또한 전공수업을 통해서 아날로그 및 디지털 회로를 학습했고 연구 활동
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