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PVD 목적 및 역할
PVD 종류
용어 정리
①PVD(정의)
②Evaporation(정의)
③Deposition(정의)
④Vaccum(정의,목적)
⑤Plasma(정의,설명,특징)
주요 펌프 설명
①Ratary Pump 작동 원리(분해 사진)
②Diffusion Pump 작동 원리(분해 사진)
③TMP 작동 원리
Sputtering
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반도체, 부도체의 얇은 층을 말한다.
박막 제조의 대표적인 4가지 방법은 다음과 같다
1) 화학 기상증착 (CVD : chemical vapor deposition)
2) 물리 기상증착 (PVD : physical vapor deposition)
3) 원자층 화학증착 (ALCVD : atomic layer chemical vapor depo
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방향성이 있기 때문에 step coverage가 좋지 않을 수 있고 증착속도도 느리며 PVD를 하기 위해서는 고진공을 필요하기 때문에 장비가 고가입니다. 따라서 생산단가가 높아질 수 있기 때문에 CVD 공정을 사용해서 Cu를 채워 준 후에 CMP 공정을 통해서
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PVD와 CVD 모두 반도체 공정이나 기타 산업에 많이 이용되는데 대개 PVD는 고품질의 박막이나 나노구조를 만들 때 쓰이지만 진공이 필요하므로 장비가 고가이며 증착속도가 느리고 CVD는 넓은 면적에 빠른 속도로 박막이나 나노구조를 증착시킬
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반도체(Semiconductor)를 도체화 시켜 Source와 Drain間에 전류가 통하게 하는 소자 1. 반도체의 의미
2. 반도체 제품 종류
3. DRAM의 기본구조
4. 반도체 제조 FLOW
5. 반도체 FAB제조 공정
6. 공정개요 : CVD
6. 공정개요:PVD(SPUTTER)
6. 공정
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