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currents
(1) Thermionic (or Schottky) current
(2) Tunnel current
3.2 Bulk-limited currents
(1) Charge density in the insulator
(2) General bulk current in the insulator
(3) Poole-Frenkel conduction
(4) Hopping conduction
(5) Space charge-limited conduction
V. I-V measurement with HP4145B
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원자와 그 다음의 원자와는 약간의 높이 차이를 가진다. 만약 그 차이가 0.1 nm 라면 앞에서 설명한 바와 같이 그들을 통하여 시료로 흐르는 tunneling current 는 약 10배 정도의 차이를 가진다. 다시 설명하면 시료와 탐침 사이에 흐르는 tunneling curre
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Tunneling Microscope를 비교하는 것은 흥미 있다. 약간의 경우에 STM의 분해능은 거리에 의한 tunneling current의 지수의 의존성 때문에 AFM보다 더 좋다. AFM에서 힘-거리 의존성은 Tip형태와 contact force와 같은 특성이 고려될 때 훨씬 더 복잡하다. AFM은 전
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Tunneling current 는 또한 팁과 샘플의 거리를 조절할 필요가 있는 반면에 열전압은 온도 지도를 감시한다.
AFM 원리에 기반을 SThM은 이런 단점을 피했다. 그러므로 AFM 체계는 전자적인 수행과 비전자적인 수행표면이 열로 scan될 수 있다. 그리고 fo
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Current가 흐르지 않는다. 그림 6.10d는 VD=0에 가까운 Blockade 영역에서 소자의 I-V 특성 곡선을 보여준다. 이러 한 현상은 Coulomb Blockade라고 한다. Coulomb Blockade의 Threshold Voltage는 Fermi level의 위치와 두 개의 Tunneling Junction의 Capacitance에 영향을 받는다.
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tunneling current through thin dielectrics, Nonvolatile Memory Technology Conference, 1998. 1998 Proceedings. Seventh Biennial IEEE 22-24, pp.111 - 114, June 1998.
[25] Yamada, S.; Amemiya, K.; Yamane, T.; Hazama, H.; Hashi- moto, K.; Non-uniform current flow through thin oxide after Fowler-Nordhei
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