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Reactions
2) Chemical Reaction Kinetics
3. Thermal CVD
1) 압력에 따른 분류
2) Reactor 온도에 따른 분류
3) Reactor Shape에 따른 분류
4. PECVD
1) PECVD 원리
2) PECVD 증착 기구
3) PECVD의 장점 및 단점
5. ECR PECVD
1) ECR 플라즈마의 원리
2) ECR PECVD
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Surface Area and porosity, 2nd edi, 1982
H. S. FOGLER, CHEMICAL REACTION ENGINEERING, Prentice Hall, 2nd edi, 1992
Frank L.Slejko, Adsorption Technology, MARCCEL DEKKER,INC., 1985
Glaasstore, The Elements of Physical Chemistry.
D.P. Shoemaker and C.W.garland, Experiments in Physical Chemistry
Adsor
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쉽기 때문이다. PVD
evaporator : thermal, e-beam, laser
sputtering : DC, RF, 마그네트론스퍼터링
step coverage
CVD
homogeneous reaction & Heterogeneous reaction
Mass Transport Controlled vs Surface Reaction Controlled
Thermodynamics vs Kinetics
MOCVD
PECVD
HW-CVD
Furnace
ICP-CVD
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surface reaction-limited regime)
CVD반응에서 박막성장은 앞서 설명된 바와 같이 크게 물질의 확산, 표면반응, 그리고 탈착에 따른 부생성물의 확산 등으로 설명될 수 있다. 일반적으로 충분히 낮은 온도 영역에서는 표면 반응속도가 물질의 이동속도
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surface reaction limited
hG kS 일 때
r ~~ APPROX ~~ h_G C_G over N
: diffusion limited
일반적으로 표면 반응 속도는 다음과 같이 Arrhenius식으로 표시할 수 있으므로
k_S ~~=~~ k prime exp {( - E_A over kT )}
where EA : activation energy
높은 온도의 표면반응이 율속인 영역의
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