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Ti이 전극물질과 압전기판 사이의 접착성을 향상시켜 보다 에칭성을 향상시켰기 때문으로 생각할 수 있으며, 이에 대하여 보충적인 실험이 앞으로 진행되어야 할 것으로 생각된다.
Ⅲ-3. Ti 박막 두께에 따른 삽입 손실
전기·기계적 결합 계
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Sputtering을 이용한 Ti 증착
1. 실험 목적
Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
2. 실험 이론-Sputter의 원리
≪ 그 림 ≫
구슬치기의 원
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Ti를 증착시킨다.
기판의 온도를 상온에 유지한 상태로 기판과 타겟간의 거리를 고정 한다.
균일한 박막의 증착을 위하여 기판을 일정한 속도로 회전 시킨다.
공정압력을 1mtorr, 4mtorr, 7mtorr, 10mtorr로 변화시켜서 Si위에 Ti를 증착
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Ti:W, 그리고 W과 같은 금속 박막의 증착에 많이 사용되며 이 외에도 SiO2와 같은 비전도성 물질의 증착에도 사용할 수 있다. 이러한 스퍼터링의 장단점을 표 1에 나타내었다.
일반적으로 스퍼터 공정은 먼저 이온들이 생성되어 타겟쪽으로 이동
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박막이 깍이는데 드는 힘이라 할 수 있는데 다시 말해서 Critical load가 크면 부착력이 크다고 할 수 있겠다. 마찰계수가 크면 즉 표면이 거칠수록 부착력이 작게 나오고 표면이 매끈하면 부착력이 크다는 것을 알 수 있다.
마찰계수에서의 1 Ti wa
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