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목차
1. 단결정 성장 과정
2. 규소 봉 절단
3. 웨이퍼 표면 연마
4. 회로설계
5. 마스크 제작
6. 산화 공정
7. 감광액 도포
8. 노광
9. 현상
10. 식각공정
11. 이온주입
12. 화학 기상 증착
13. 금속배선
14. 웨이퍼 자동선별
15. 웨이퍼 절단
16. 웨이퍼 표면 연마
17. 금속 연결
18. 성형
19. 최종검사
2. 규소 봉 절단
3. 웨이퍼 표면 연마
4. 회로설계
5. 마스크 제작
6. 산화 공정
7. 감광액 도포
8. 노광
9. 현상
10. 식각공정
11. 이온주입
12. 화학 기상 증착
13. 금속배선
14. 웨이퍼 자동선별
15. 웨이퍼 절단
16. 웨이퍼 표면 연마
17. 금속 연결
18. 성형
19. 최종검사
본문내용
1. 단결정 성장 과정
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 SEED 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정 규소봉(INGOT)을 성장시키는 과정
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 SEED 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정 규소봉(INGOT)을 성장시키는 과정
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- 가격3,000원
- 페이지수21페이지
- 등록일2011.08.04
- 저작시기2011.8
- 파일형식파워포인트(ppt)
- 자료번호#693083
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