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1. 단결정 성장 과정
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 SEED 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정 규소봉(INGOT)을 성장시키는 과정 1. 단결정 성장 과정
2. 규소 봉 절단
3. 웨이퍼 표면 연마
4. 회로설계
5. 마스크 제작
6. 산화 공정
7.
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웨이퍼 자동선별(EDS Test)
웨이퍼에 형성된 IC칩들의 전기적 동작여부를 컴퓨터로 검사하여 불량품을 자동선별 한다.
15. 웨이퍼 절단(Sawing)
웨이퍼상의 수 많은 칩들을 분리하기 위해 다이아몬드톱을 사용하여 웨이퍼를 전달한다.
16. 칩 집
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웨이퍼절단공정
Bonding공정
패키징공정
테스트공정
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Lead Frame
Bonding Wire
패키징 재료
Fe Alloy, Cu
Au, Cu
EMC, Ceramic, Pt, Ag paste
5.2.2.1. 반도체 특수가스
반도체용 가스는 일반적으로 화학적인 활성을 가지고 있으며 폭발성, 독성, 부식성이 강하다. 그
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성장공정
연마공정
Epitaxial 공정
노광공정
박막형성공정
현상액도포공정
노광공정
에칭공정
Resist 제거공정
확산공정
배선공정
세정공정
웨이퍼절단공정
Bonding공정
패키징공정
테스트공정
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웨이퍼에서 생산하기 위해서 계속 증가하고 있다.
성장하는 동안 제어되는 주요 결정 결함들은 점 결함, 전위, 그리고 총체적 결함이다.
잉곳에서 웨이퍼를 얻기 위해서는 직경연마, 웨이퍼 홈, 웨이퍼 절단, 웨이퍼 연마, 모서리 윤곽, 식각법
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