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절단(Sawing)
웨이퍼상의 수 많은 칩들을 분리하기 위해 다이아몬드톱을 사용하여 웨이퍼를 전달한다.
16. 칩 집착(Die Bonding)
낱개로 분리되어 있는 칩 중 EDS 테스트에서 양품으로 판정된 칩을 리드 프레임 위에 붙이는 공정이다.
그림3. 와이
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반도체의 경우 FAB 의 최종공정에 EDS를 운영한다)
15.Wafer 절단
웨이퍼에 그려진 하나하나의 Chip들을 떼어내기 위하여 Wafer를 손톱만한 크기로 계속잘라 낸다. 절단에는 다이어몬드 톱이 사용된다.
16.칩 집착
낱개로 분리된 Chip가운데 제대로 작
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반도체 제조공정에 대한 전반적인 이해를 위한 실험으로 우리는 이번에 그 제조공정의 일부만을 선택하여 실험하였다. 우리가 한 실험은 세정→ 증착→ PR도포→ Pre bake→ 노광→ 현상 →Rinse→ Post bake→ Etching 과정을 하였다.
증착과정에서 s
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절단되어 한쪽면을 거울같이
연마한 실리콘 웨이퍼가 된다.
집적회로는 이 실리콘 웨이퍼 표면에 만들어진다. 1. 반도체 웨이퍼와 칩
2. 반도체 공정 흐름도
3. 흐름도별 설명
(1단계:실리콘 형성부터 19단계:최종 검사까지)
4. 동
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반도체소자에 따라 조금씩 공정이 추가될 것이나, 아래의 18단계의 공통과정에 의하여 제조된다.
1. 단결정성장
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 시드(Seed) 결정을 접촉하고 회전시키면서 단결정규소봉(Ingot)을 성장시킨다.
2. 규소봉절단
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