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반도체소자의 제조공정
반도체소자의 제조공정은 제조하고자 하는 반도체소자에 따라 조금씩 공정이 추가될 것이나, 아래의 18단계의 공통과정에 의하여 제조된다.
1. 단결정성장
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 시드(Seed) 결정을 접
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반도체 제조 공정의 역사
반도체 제조공정의 발달로 인하여 반도체소자는 저면적, 고속화
1800년대 처음으로 반도체물질을 발견( PbS, ZnSb, AgS )
1906년 실리콘이 처음으로 사용됨
1930년 junctions의 정류작용을 이론적으로 정립
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1). 3백㎜(12인치)웨이퍼 공정 기술
현재 일반적으로 사용되고 있는 200㎜(8인치)웨이퍼에 비하여 300㎜(12인치)웨이퍼의 최대 장점은 반도체소자의 제조원가를 절감하는 것이다. 200㎜와 300㎜웨이퍼를 단순 비교해 보면 0.18㎛의 256MD램을 생
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하고 선형적인 특성을 나타내는 것을 음성 접촉이라 한다. 정류작용은 금속과 반도체 사이의 장벽에 의해 이루어진다.- 금속화 공정에서 일어날수 있는 여러 가지 현상들 1. Junction Spiking 2. 알칼리 이온의 침투 3. 전기적 이동( electromigration ) 4.
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반도체 공정 및 장비산업의 기술 동향 ]
Ⅰ. 시작하며
Ⅱ. 반도체소자의 제조공정(그림자료첨부)
Ⅲ. 반도체 공정 및 장비산업의 기술 동향
Ⅳ. 반도체관련기술의 특허출원동향
Ⅴ. 맺으며
1.mask
2. 레티클(reticle)
3. phase shift mask를 활용
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