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디지털 비안정 멀티바이브레이터의 발진주파수는 로 한다.
따라서 설계된 비안정 멀티바이브레이터의 소자값은 다음과 같다.
소자
값
3. 참고문헌
- 전자회로 및 실험(Ⅱ), 상학당, 이영훈, 이일근 공저.
- 전자통신전공실험, 상학당, 김인태 저
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1. 연구주제명
2. 연구의 필요성
3. 연구의 목적
4. 연구의 의의
5. 연구의 이론적 배경
6. 가설의 설정
7. 연구방법
8. 기대되는 결과
9. 참고문헌
10. 부록
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회로를 만들기 시작하였는데 멀티심으로 만든 회로를 보고 그래도 만들어서 크게 어려움은 없었다. 이전에 디지털 시계를 만들 때 스위치를 사용하면 채터링이 발생한다는 것을 미리 알아 채터링 방지 회로를 스위치 부분에 처음 설계할때부
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회로를 구현하려고 하였으나 마지막 실험에 더 많은 실수를 한 것 같다. 마지막 팀 프로젝트를 멋지게 구현하도록 조원 모두 똘똘 뭉쳐서 지난 실험의 실수를 만회해야겠다.
평가 및 복습 문제 :
3. 이 실험에서 설계한 순차 회로에서 리셋 버
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1. 목적
2. 동작설명
3. 역할분담
4. 필요부품리스트
5. 전체블록도 - 블록별 기능설명 포함
6. 회로도
7. 실습결과(사진첨부)
8. 고찰
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논리상으로는 입력이 출력에 바로 영향을 미치는 것으로 인식되지만 실제 회로로 구현시에는 그렇지 않다. 트랜지스터의 동작속도가 정확하게 0이 되지 않기 때문인데 보통 전달지연은 수 ns(nano second)에서 수십 ns가 걸리게 되고 천이시간도
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디지털공학이론들이 직접 눈으로 보고 직접 실험해서 결과를 얻어 보니 더욱 기억도 잘되는 것 같고 머리에 이론들이 정리되서 차곡차곡 쌓이는 기분이 들고 있다. 앞으로 실험들은 더 복잡해지고 어려워지겠지만, 왠지 기대가 된다.
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디지털 논리와 컴퓨터 설계 4판 솔루션 M.Morris Mano 교보문고
1~13장 디지털 논리와 컴퓨터 설계 4판 솔루션 M.Morris Mano 교보문고
1~13장
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1장 Overview
A. 설계 목표
MOSFET를 이용한 Digital Loagic Gate( AND, OR GATE ) 구현하라.
B. 이론적 배경
≪ 그 림 ≫
3.MOS FET에 대한 이론
MOSFET의 게이트는 매우 작고 뛰어난 특성을 갖는 커패시터이며, 채널을 통한 전도는 게이 트와
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논리회로 실험에서 주로 사용되는 직접회로는 74XX TTL 계열이며 바이폴라(bipolar)형 트랜지스터로 구성되어 있으며 5V를 "on"(이진수 1)상태로, 0V를 “off”(이진수 0)상태로 사용한다. RRL은 주로 DIP(Dual-in-line Package)형이며 기능에 따라 14핀, 16핀 등
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