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트랜지스터
2) JFET의 출력 특성 곡선 (게이트 전압에 따른 드레인 전류와 드레인 소스 전압의 특성)에 포화 영역, 차단 영역, 옴 영역의 구분.
3) JFET의 소신호 등가 모델(FET와 BJT의 차이점)을 알아보고, R1과 R2 값을 결정한다.
4. 실험 결과
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실험은 실질적인 기술 습득뿐만 아니라 문제 해결능력을 향상시키는 데 중요한 기회였으며, 앞으로도 다양한 체험 기반 학습이 필요하다. 1. 서론
2. 아두이노 개발 환경 개요
3. GPIO의 원리와 작동 방식
4. 실험 방법 및 절차
5. 실험 결과
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결과는 다음 표와 같다.
J
K
Q
bar{Q}
0
0
1
1
0
1
0
1
1
0
1
0
1
1
0
1
표 3. JK Flip-flop 진리표
5. 고찰
기본적인 기억소자인 SR 플립플롭과 이것을 개량한 JK 플립플롭을 구성해 보았다. 플립플롭의 종류는 이외에도 여러 종류가 있으나, 이번 실험에서는 NAND
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결과를 확인하였다. 결과는 아래 그림과 같다.
그림 구성회로의 입력-출력 그래프
시뮬레이션 결과 위의 회로는 조건을 모두 만족하는 출력값을 보여주었다. 이번 실험에서도 역시 입력값과 출력값 사이에 약간의 지연이 발생하였는데, 1번
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결과였다. 왜 안 좋은 결과가 나왔느냐에 대한 부분의 원인은 여러 가지가 있었으나 대부분 일맥상통한 원인은 실험측정에 있어서 정확한 측정이 불가능 했던 것에 있었다. 측정기계의 Heat temperature가 수시로 변하고 있었기 때문에 정확한 측
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실험 결과는 이론과는 약간 다른 경향을 보였다(공연비가 29.4의 경우에 가장 높은 최고온도를 보였고, 공연비가 12.5일때의 최고온도 또한 공연비를 23.8에 맞추었을 때의 최고온도보다 높았다.)
6-3. W=50mm, H=40mm에서 당량비를 변화시켜가면서 온
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실험의 순서와 일치한다.) 이 때문에 실제 실험결과에서는 Swirl 방식의 추력이 낮게 측정된 것으로 판단된다.
Swirl 방식과 Straight 방식에 있어서 G와 Regression rate의 관계를 식으로 표현하면 다음과 같다.
dot{r}=2.7936times10 ^{-8} G _{0} ^{0.78052}
dot{r}=2.
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결과 알루미늄의 이론 탄성계수 값 70~79 사이 안으로 실험치가 들어가지 않았지만 양단 고정으로 가정한 경우에 비해서 그 오차가 상당히 줄어든 결과를 얻을 수가 있었다. 단순 지지로 해석한 경우에서도 우리는 변위의 오차가 변형률의 오
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실험 중 많이 실수한 것과는 달리 상당히 만족할 만한 결과를 얻을 수 있었다. 스트레인 게이지를 캔에 부착하는 과정에서 본딩이 잘못되어 고르지 않게 접착이 되었으나, 다행히 정상적으로 작동하여 주었고, 구해진 결과가 실제로 용기 제
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실험을 통해 알아보았다. 이론적인 부분은 여러 가지 과목을 공부해오면서 이미 알고 있었던 부분이었다. 전기전자 과목에서 키르히호프의 법칙을 이용하여 여러 가지 형태의 회로를 분석하는 문제를 풀어본 적이 있는데 실제로 그런 회로를
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