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고체 물리 전자 디바이스 5판 솔루션 입니다.
챕터 1 ~ 챕터 11 까지 있습니다.
1999.09.01
Streetman, Ben G., Banerjee, Sanjay 저
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E-Beam의 구조와 증착원리
···········
p. 8
4. 실험 방법
···········
p. 9
5. 결과 예측
···········
p. 11
6. 결과 분석
···········
p. 12
① C-V 결과 분석
···········
p. 12
② I-V 결과 분석
···········
p. 16
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Solid State Electronic Devices(6th edition) - Ben Streetman, Sanjay Banerjee
[2] Modeling and Simulation of Negative Bias Temperature Instability - R.entner
[3] Chap. 6. Field Effect Transistors ppt자료 - Nano quantum electronics lab
[4] 반도체공학 - 박광순, 여진경 역. 학문사. 1997
[5] http://www.ec
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물리학/Beiser, Arthur/교보문고/2000/
고체전자론입문 /지촌사부/전남대학교출판부/2005/
고체전자공학/Streetman, Ben G/喜重堂/1991/
Young&Freedman, University physics with modern physics 10/e
Kittel, Introduction to Solid State Physics 7/e Ι. 서 론 1
Ⅱ. 이론적 배경 2
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같도록 하여 단채널 효과를 피할 수 있다.
5. 참조
반도체 공학, 일진사, 허규성, 2003
Solid State Electronic Device, Prentice Hall, Inc, Ben G. Streetman And
Sanjay Banerjee, 2000 1. 구조와 원리
2. MOS 정전용량-전압 분석
3. 증가형과 공핍형
4. 단채널 효과
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