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건식산화 : Si + O2 → SiO2
약 1000℃에서 산소에 silicon을 노출시킴으로써 수행된다.
0.05㎛의 얇은 층에서 high quality를 제공한다.
-습식산화 : Si + 2H2O → SiO2
산소에 습기가 섞여 있는 경우로, 건식산화보다 oxidation rate가 더 빠르다.
0.5㎛정도의 두
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두께 측정
● 측정방식에 따른 분류
● 측정의 어려움
2. 반도체 공정중 Oxidation 사용분야
● Oxidation(산화막 성장)
● 실리콘 산화막의 용도
● 반도체 공정
● 열 산화의 장점
● 건식산화의 장점과 단점
● 습식산화의 장점과 단점
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산화막
● 산화막이란
● 열 산화(thermal oxidation)
● 건식 산화(dry oxidation)
■ p-n junction 에 대해 설명하라.
● N-Type Silicon
● P-ype Silicon
● 다이오드의 원리
■ 진성 반도체 , 불순물 반도체
■ 공핍층(Depletion layer)과 전위장벽(barri
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산화공정
▶ 산화공정은 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800-1200℃)에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성 시키는 공정이다
▶산화공정은 습식산화와 건식산화가 있
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산화층의 기능
1. 절연막
2. 보호막
스크레치, 입자오염으로부터
Wafer를 보호
3. Masking
Ion Implantation, Etching
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산화 반응에 사용되는 기체의 종류에 따라 건식산화 법과 습식산화 법으로 구분 할 수 있다.
▶ Dry Oxidation
고
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산화성고체, 대부분 무기화합물로, 물에 녹습니다.
◆2류 위험물: 가연성고체, 환원성 물질이며, 물에 녹지 않습니다.
◆3류 위험물: 자연발화성물질 및 금수성물질, 대부분 고체이며, 황린을 제외하고 물과 반응할 때 발화 위험O
◆4류 위험물:
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건식, 준비작동식, 부압식, 일제살수식이 있고
이 중 습식과 건식은 감지기가 없고, 또한, 일제살수식 헤드는 개방형이고 나머지는 폐쇄형 헤드.
◆이산화탄소 소화설비
장점 반영구적으로, 가격이 저렴하고 피연소물에 피해가 적다. 비전도
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