|
Diode)
- PIN 다이오드 (PIN Diode)
- 터널 다이오드 (Tunnel Diode : Esaki Diode)
4. 다이오드 특성 곡선
- DC측정법에 의한 특성곡선 추출
- AC측정법에 의한 특성곡선 추출
5. Si 와 Ge 다이오드 특성
- 실리콘 다이오드
- 게르마늄 다이오드
6. 다이오드
|
|
|
게르마늄과 실리콘 다이오드의 문턱전압이 다른 이유
실험결과 실리콘과 게르마늄의 문턱전압이 다르다는 결과를 확인할 수 있었다. 실리콘과 게르마늄으로 다이오드를 만들 때 다이오드는 p와 n극으로 나뉘어 진다 이것은 첨가하는 불순물
|
|
|
의 곡선을 이용하라.
b. 실리콘 다이오드에 대해 식 rac = 26mV / ID(mA) 을 이용하여 ID = 9mA에서 ac resistance를 결정하라.
c. 실리콘 다이오드에 대해 ID = 2mA에서 a와 b단계를 반복하고 결과를 비교하라.
Part 6. Firing Potential
a. 각각의 다이오드 특성으로
|
|
|
하를 옮기는 운반매개로써 정공이 사용되는 반도체란 사실도 알게 되었다. 또한 다이오드를 알기 전에 반도체를 알 필요가 있었다. 이런 P형, N형 반도체를 접합해서 만드는 것이 다이오드이기 때문이다. 전기전도도에 따라 물질을 분류하면
|
|
|
다이오드의 종류 Si, Ge에 따라 전위장벽의 변화 및 특성 등에 대하여 검토한다.
< 이론개요 >
- 다이오드의 정의
- 다이오드의 종류
- 다이오드의 원리
- 접합 바이어스(순방향, 역방향)
- 실리콘과 게르마늄 다이오드에 대한 특징
* 다
|
|
메뉴펼치기
