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구조로 만들어지며, P형과 N형 물질의 위치만 바뀌면 된다. 따라서 P 채널 FET의 회로도 그림 12-9와 같이 전원의 극성을 반대로 연결해야 한다. 그림 11-10은 P형 JFET의 출력 특성곡선이다.
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JFET 입력 증폭기는 고입력임피던스 신호원으로
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구조로 만들어지며, P형과 N형 물질의 위치만 바뀌면 된다. 따라서 P 채널 FET의 회로도 그림 12-9와 같이 전원의 극성을 반대로 연결해야 한다. 그림 11-10은 P형 JFET의 출력 특성곡선이다.
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JFET 입력 증폭기는 고입력임피던스 신호원으로
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인 특성 곡선 ( = 0)
(4) 전압에 따른 드레인 특성 곡선군
그림 12-6에서와 같이 값을 조절하여 가 옴의 값으로 증가하도록 하면 는 가 옴의 값으로 증가할수록 감소하며, 또한 가 커질 때마다 JEFT는 보다 작은 값에서 핀치-오프점에 도달함에 유의
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구조개혁 등을 통하여 경쟁력을 회복할 경우 새로운 모습으로 재도약할 수 있을 것이다.
참고문헌
1. 김익성, 한국 중소기업의 마케팅경쟁력 평가, 한독경상학회, 2009
2. 노영호, 기업지배구조의 변화가 기업경쟁력에 미치는 영향에 관한 연구,
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마케팅;이해와 전략적 전개, 인천대학교 경영대학원 논문, 2013.
서용구, 시장에서 승리하는 마케팅의 기술, 시대의 창, 2006.
안길상, 브랜드 이미지, 브랜드 신뢰 및 브랜드 애호도의 구조적 관계, 광고연구, 제69호, 한국방송광고공사, 2005.
안
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