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MRAM의 장점과 단점
(1)장점
불휘발성 메모리로서 SRAM과 동등한 수준으로 고속 읽기/쓰기가 가능하며 DRAM과
같이 고집적화할 수 있는 새로운 메모리인 MRAM (Magnetic Random Access Memory)의 잠재능력이 시제품 제작으로 입증되면서 새로운 메모리로서
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MRAM의 실용화를 위해 해결해야 할 중요한 과제는 고집적화
- A회사는 메모리셀을 구성하는 소자 수를 절반으로 줄여 DRAM과 동등한 크기로 축소시킬 계획이며 이에 필요한 TMR의 Magnetic Ratio(MR비)를 40%까지 향상시키는 기술확보가 가능한 것으로
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47, 178 (1985)]
그림 2. 거대 자기저항(GMR) 현상.
(Baibich et al., PRL 61, 2472 (1988)
그림 3. 광자기 기록기술 개략도
그림 4. GMR 스핀 밸브 헤드 구조
그림 5. 자기 메모리(MRAM) 개략도 1. 서 론
2. 스핀의존 현상
3. 스핀트로닉 기술
4. 향후 전망
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메모리 셀의 착안 등이 실현될 때 가능할 것으로 기대된다.
III. 결 론
지금까지 설명한 것과 같이 MRAM, PRAM은 플래시(flash memory)로부터 파생한 것이며, FeRAM은 DRAM으로부터 파생한 것으로 볼 수 있다.
FeRAM은 10년 이상 전부터 연구되고 있어 저소
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메모리 6
③ 1980년대: DRAM 6
④ 1990년대: NAND 플래시 메모리 6
⑤ 2000년대: SSD 6
⑥ 2010년대: 3D NAND 플래시 메모리 및 휘발성 메모리 MRAM(Magnetic Random Access Memory) 7
2. 가상현실, 증강현실, 메타버스 등의 응용에 사용하기 위한 입출력 장치 7
(가)
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memory using Simple Binary Oxide Driven by Asymmetric Unipolar Voltage Pulses. in 2004 IEDM Tech. Dig., 2005 I. 서 론
1. 차세대 비휘발성 메모리 (non-volatile memory)
1-1. PoRAM (Polymer Random Access Memor)
1-2. PRAM (Phase change random assess memory)
1-3. MRAM (Magnetoresistive random
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