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(lithography)
1) 리소그래피란?
2) 리소그래피 기술의 개요
3) 리소그래피 장치의 분류
4) 리소그래피 방법
① Photoresist coat (PR 코팅)
② Soft Bake(소프트 베이크)
③ Photo exposure(노광)
④ Develop(현상)
⑤ Hard bake(하드 베이크)
5) 향후의 전망
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포토레지스트 재료, 엑시머 제이저 광원 등의 주변재료는 어디까지 광 노광기술의 연명을 서포트할 수 있을까?
미세화, 독특한 구조의 콘택트 홀, 메탈 패턴 등에 드라이에칭 기술이 대응할 수 있을까?
등이 향후의 과제가 된다. 리소그래피
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도핑하게 되면 공핍층이 좁아져 터널링 현상이 발생.
④ Threshold voltage 조절: 반도체 소자마다 문턱전압 값을 조절할 수 있다. 1. 반도체 소자 및 IC 개요
2. 웨이퍼 및 마스크 제조
3. FAB 공정
4. PHOTO, ETCH 공정
5. Doping 공정
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METAL ETCH
금속에칭은 소자의 전도회로의 길을 남겨놓기 위해 선택적으로 알루미늄층을 제거한다. 이 과정은 노출된 포토레지스트의 패턴에 남겨진 금속을 정교하게 제거해야만 한다. 동시에 남아있는 회로의 면들이 잘라내지는 것을 피해야
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Enhanced Chemical Vapor Deposition)
5.3. APCVD
6. 분자빔 결정법(MBE)
7. 박막 증착의 예
7.1. 실리콘 박막 트랜지스터(TFT)
8. PVD와 CVD의 차이 비교
9. 증착법의 실제 적용 분야
9.1. 증착법의 기술전망
10. 포토리소그래피
11. 식각
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Photoresist) 도포 조건의 도포 두께에 대한 영향 및 최적화
4. 노광시간(Exposure Time)의 영향 및 최적화
5. 실험 결과 및 고찰
Ⅲ. 실리콘 주형의 제작과 분광기의 제작
1. 반응성 이온 식각 공정(RIE;Reactiva Ion Etching Process)
2. UV 몰딩(UV-molding) 공정
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