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실험과 같은 반복으로 minicom을 통해 u-boot 창을 띄운다. 이후 "ethdown -l" 명령을 실행하여 부트로고를 바꾼다. ethernet을 이용하므로 [ethdown –l] 명령어를 사용한다. 만일 usb를 이용한다면 [usb –l] 명령어를 이용하면 된다. 이와 비슷한 과정
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실험한 내용에서는 윤활유의 유무에 따라 마찰 정도의 차이가 눈에 보일 정도로 나타나지는 않았지만, 이번 실험을 통해서 또 실험 레포트를 작성 하기 위해서 찾아본 자료들을 통해서 금속 성형 공정에서 발생하는 마찰을 알수 있었다. 그리
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반도체 특강 자료 (삼성전자)
(4) 이화여자 대학교 전자공학과 PRAM PPT 자료
(5) 고광석 (상변화 기술분석)
(6) 상변화 메모리 소자설계용 요소기술 개발에 관한 연구 ( 과학기술부 )
(7) 비휘발성 메모리 소자 기술 동향 (KIST 허운행)
9 1.서론
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반도체 공정기술(개정판), 황호정 저, 생능출판사
신소재공학, 서영섭·백승호·이철영 공저, 기전연구사
태양광 시장의 실태와 전망, 데이코산업연구소, 진한M&B
http://www.green-energy.co.kr/
http://www.samsungsdi.co.kr/
http://www.epnc.co.kr/article/view.asp?ar
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공정,
http://blog.daum.net/hannong72/8457352
(2009년 10월 17일자 자료) 1. 용매 추출 ………………………………………………………………4
1) 정의 ……………………………………………………………………4
2) 원리 ……………………………
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실험 목적
▣ 실험 이론
(1) ROM
(2) RAM
▣ 예비과제
1. ROM(Read Only Memory)의 일반적인 특징을 간단히 설명하여라.
2. 256 X 16 ROM의 의미는 무엇인지 설명하라.
3. RAM의 특성을 나타내는 다음 용어에 대해 간단히 설명하라.
4. Static RAM의 기본
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반도체로 이루어진 전공 수송층(HTL)과 전자
수송층(ETL)을 삽입한 구조를 이루고 있고, 양극과 음극에서 각각 주입된 정공과 전자들은 HTL과 ETL을 통과하여 HTL/ETL의 계면에서 만나 재결합함으로써 빛을 방출하는 광소자이다.
OLED의 주요 성능지
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실험 결과로 보아 여기에서 이상적인 막의 두께는 200A로 볼 수 있다. 1.실험 목적
2.이론적 배경
MOS 캐패시터
1) 산화공정
2) CVD 공정
3) Photo 공정
4) PVD 공정)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
1)C-V 그래프
2)I-V 그래프
3)결론
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실험 과정은 차근차근 실제 공정단계로 이루어졌기 때문에 이론에서 배운 것과 일치하여 생각하기 편했다. 스핀코팅을 해보면서 두께의 조절 모습을 관찰했고 실제로 에칭이 되는 모습이 가장 인상적이었다. 실제로는 그렇게 빨리 에칭이 될
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공정이지만, 그 과정의 각 스텝은 모두 상호간에 영향을 주고받기 때문에 개별적으로 취급할 수 없다.
◎ 참고문헌 : 반도체 제조장치 입문, 전전 화부, 성안당
집적회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정, 정항근, 홍릉과학
실리콘 공정기술
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