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접합 다이오드는 불순물을 도핑하여 P형 반도체와 N형 반도체를 접합하게 되면 P형의 정공과 N형의 전자가 접합영역에서 결합하여 공핍층을 생성함. 공핍층은 정공이나 전자와 같은 캐리어가는 절연영역이며 접합영역을 통과하는 캐리어의
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는 pn 접합의 에너지 밴드 다이어그램>
7.3.1 공간전하폭과 전계
1) 역방향 바이어스와 공간전하폭의 관계
: 역방향 바이어스전압(VR)∝ 공간전하폭(W)
W= {[2εs(Vbi + VR)/e][Na + Nd/NaNd]}1/2
2) 역방향 바이어스와 전계의 관계
: 역방향 바이어스전압(VR)
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반도체로 된 pn접합 pn접합 다이오드
개요
1. pn접합 전류
1.1 pn접합 내에서의 전하 흐름의 정성적 고찰
1.2 이상적 전류-전압 관계
1.3 경계조건
1.4 소수캐리어 분포
1.5 이상적인 pn 접합 전류
1.6 물리적 현상의 요약
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반도체
실리콘에 최외각 전자수가 5개인 불순물을 첨가.
N형 불순물을 첨가하면 자유전자의 수가 증가.
Donor 불순물로는 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P)등. 1. P-Type 반도체
2. N-Type 반도체
3. P-N 접합
4. 전위장벽(내부장벽)
5. Bias
1) 순방
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항복전압이라해서 잘 흐르지 못 했던 전류가 흐르게 되게 되는 전압이 생긴다. 이를 break down 이라 한다. 1. 그림 1의 p-n 접합시 그림 2와 같이 되는 과정을 자세히 설명
2. p-n접합이 정류 특성을 갖는 원리를 그림2를 이용하여 설명
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반도체의 접합으로 이루어져 있으며, 전압을 가하면 전자와 정공의 결합으로 반도체의 밴드갭에 해당하는 에너지를 빛의 형태로 방출하는 일종의 광전자 소자이다. LED의 확대는 소형광원 및 색설계가 가능하고 소비 전력이 적어지며 수명이
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반도체소자인 태양전지의 요소기술로서 p-n 접합기술, 사진노광기술, 전극형성기술, 애칭기술, 유전체박막 성형기술, 산화 막 형성기술 등이 사용되며 이는 메모리, TFT-LCD, 광통신 산업분야에서 우리나라가 세계 최고 수준 기술을 확보하고 있
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반도체 기반 물질에 대해 이해했습니다. 이후 패키지 Test를 경험했습니다. 이 과정에서 Diffusion, Phase Diagram 전공지식을 공학 관점에서 적용했습니다. 반도체/전자재료 접합 후 150 ℃, 1000 h에서 HTS 신뢰성 시험을 진행했습니다. 이후 기계적/전
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반도체
반도체총괄
(기술면접)
1. 10분 안으로 전공소개를 해주십시오.
2. 일본어로 자기소개를 간단히 해 주십시오.
3. 만약 입사한다면 일하고 싶은 분야를 말씀해 주십시오.
4. PN접합 다이오드에 역방향 전류인 가시전류의 특성
관리
1. 학교
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반도체통신
(기술면접)
1. 10분 안으로 전공소개를 해주십시오.
2. 일본어로 자기소개를 간단히 해 주십시오.
3. 만약 입사한다면 일하고 싶은 분야를 말씀해 주십시오.
4. PN접합 다이오드에 역방향 전류인 가시전류의 특성 1. 성장과정
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LT소재에서 솔더 개발 연구원으로서 어떤 역할을 수행하고 싶나요?
- 새로운 솔더 합금 조성을 연구하고, 전자 및 반도체 산업에서 신뢰성이 높은 접합재료를 개발하는 역할을 수행하고 싶습니다.
2) 솔더 개발 직무에서 가장 중요한 역량은
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접합부에서는 reflow 공정, EMC 경화 중 발열, 제품 사용시 발열로 인해서, 열 충격, 잔류응력, 취성을 일으키는 금속 화합물의 성장 등이 발생할 수 있으며, 크랙이나 핀홀, 회로 단절 등의 불량으로 이어질 수 있습니다.
전술한 용접성 연구 경험
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