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부착력 측정이 아닌 wafer의 물성에 의한 부착력의 차이를 알아보는 것이 가능하게 되었다.
부착력측정
Si wafer(Critical loads 20.01) 4000grid Ti wafer(Critical loads 6.78)
1 Ti wafer(Critical loads 10.65) 0.3 Ti wafer(Critical loads 12.09)
위 결과에서 보면 Si wafer의 값이 20
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막이 파괴할 때 얻어지는 음파와 같은 각종 정보로부터 임계하중(Lc값)을 결정하는 방법이다. 피막의 파괴시점을 수치로 나타낼 수 있으므로 경질막의 품질(밀착성, 기계적 특성 등) 평가 법으로써 널리 채용되고 있다. 하중부하 방식은 연속
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부착력이라 하며, 이와 같이
응집력과 부착력의 차이로 발생하는 것을 표면
장력이라 한다.
예를 들면 물과 공기의 경계면에서 물분자의
응집력이 공기분자와 물분자 사이에 작용하는
부착력보다 크게 되어 물 표면을 최소화하려는
힘이
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부착력의 크기는 온도, 고체면의 종류 상태에 따라 변한다. 만약 부착력이 응집력 보다 크면 물은 고체면을 퍼지면서 적시게 되나, 응집력이 더 크게 되면 물방울과 같은 곡면을 형성하게 된다. 왼쪽 [그림]과 같이 물위에 가는 관을 세우게 되
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부착력(adhesion)을 가지고 있다. 모관현상은 응집력 및 부착력 양자의 작용에 의한 것으로서, 부착력이 응집력보다 크게 된다면 물체에 접근한 액면이 상승하며 거꾸로 부착력편이 작아지면 액면은 떨어진다. 여기서 관내의 표면을 미니스커스
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