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두께 측정
● 측정방식에 따른 분류
● 측정의 어려움
2. 반도체 공정중 Oxidation 사용분야
● Oxidation(산화막 성장)
● 실리콘 산화막의 용도
● 반도체 공정
● 열 산화의 장점
● 건식산화의 장점과 단점
● 습식산화의 장점과 단점
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산화 : Si + O2 → SiO2
약 1000℃에서 산소에 silicon을 노출시킴으로써 수행된다.
0.05㎛의 얇은 층에서 high quality를 제공한다.
-습식산화 : Si + 2H2O → SiO2
산소에 습기가 섞여 있는 경우로, 건식산화보다 oxidation rate가 더 빠르다.
0.5㎛정도의 두꺼운 o
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산화탄소로 산화된다.
2Na+ + 5C2O42- + 2H+ = H2C2O4 + 2Na+
2MnO4- + 5H2C2O4 + 6H+ = 2Mn2+ + 5CO2 + 8H2O (3-3)
① 105-110℃에서 2시간동안 건조시킨 Na2C2O4를 사용하여, 0.05M Na2C2O4 용액 100㎖를 만든다. 그 용액 25㎖를 삼각플라스크에 넣고, 3M 황산 15㎖를 가한다.
②
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4.물리화학적처리
4-1. 활성탄(Activated carbon) 흡착
4-2. 화학적 침전(Chemical precipitation)
4-3. 증류(Distillation)
4-4. 스트리핑(Stripping)
4-5. 용매추출(Solvent Extraction)
4-6. 오존처리(Ozonation)
4-7. 습식산화(Wet air oxidation)
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산화공정
▶ 산화공정은 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800-1200℃)에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성 시키는 공정이다
▶산화공정은 습식산화와 건식산화가 있
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산화성고체, 대부분 무기화합물로, 물에 녹습니다.
◆2류 위험물: 가연성고체, 환원성 물질이며, 물에 녹지 않습니다.
◆3류 위험물: 자연발화성물질 및 금수성물질, 대부분 고체이며, 황린을 제외하고 물과 반응할 때 발화 위험O
◆4류 위험물:
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습식, 건식, 준비작동식, 부압식, 일제살수식이 있고
이 중 습식과 건식은 감지기가 없고, 또한, 일제살수식 헤드는 개방형이고 나머지는 폐쇄형 헤드.
◆이산화탄소 소화설비
장점 반영구적으로, 가격이 저렴하고 피연소물에 피해가 적다. 비
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습식공법
①뿜칠공법 ②미장공법 ③타설공법 ④조적공법
▶시멘트계 바닥 바탕의 내마모성, 내화학성, 분진방진성을 증진시켜주는 바닥강화제(hardner)중 침투식 액상하드너 시공시 유의사항 2가지?
①바닥강화 시공시, 시공완료 후 기온
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