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전문지식 84건

실리콘의 습식 식각 7. 열산화막의 습식 식각. 8. 질화 실리콘의 습식 식각 9. 건식 식각 10. 이온주입 (Ion Implantation) 11. 이온 주입의 특징 및 응용 12. 손상(Damage) 및 어닐링(Annealing) 박막 증착의 기술 및 공정 - 개요 1. 기화법 (Evaporat
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  • 등록일 2006.12.27
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증착법 (chmical vapor deposition, CVD) 2. GaN 2.1. GaN의 특성 2.2. GaN 기질 2.3. GaN 성장에서 문제점 2.4. 단일 선구 물질을 사용한 MOCVD Ⅲ. 실험 장치 및 방법 1. Undoped-GaN 에피층의 성장 2. Undoped-GaN 의 열처리 3. 분석 및 장비 Ⅳ.
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  • 등록일 2008.03.22
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증착시킨다. 실리콘 IC에 들어가는 금속 박막이 거의 이러한 방법으로 만들어지고 있기는 하지만, 물리적인 프로세스는 공정 상의 주요한 문제점을 가지고 있다. 그것은 마이크로 집적회로 상의 접촉면이 매우 미세하므로 불순 입자의 영향이
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  • 등록일 2012.10.18
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실리콘집적회로 공정기술', 대영사, 1997 [7] 신현국, 'CVD/ALD 재료 기술 동향', (주)유피 케미컬, 2005 [8] 김상훈, ‘Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition’, 전북대학교, 2008 참 고 사 이 트 [9] http://blog.naver.com/ycin6306/90021955004 [10] http://blog.naver.com/ungoni?Red
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  • 등록일 2008.12.21
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겨 담가둔다. '디아이워터'로 중화시키기 위해서이다. ③실리콘 웨이퍼위에 남아있는 물기를 제거하기위해 '질소건'으로 제거해준다. ‘질소건’을 사용할때는 실리콘 웨이퍼에 수직으로 바람을 불어주어서 웨이퍼가 날아가지 않도록 주의
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  • 등록일 2015.05.19
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논문 1건

증착법 (2) 열처리에 의한 재결정법 (3) 직접 증착법 (4) 엑시머 레이저 열처리법 󰊴 ELA 방법에 의한 다결정 실리콘‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥6 (1) 결정화 순서 (2) 공 정 (2-1) 전반적 공정 (2-2) E
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  • 발행일 2010.01.16
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취업자료 3건

실리콘 기판으로 샘플을 제작하여 구조를 분석했는데, 응집 현상이 잘 진행되지 않은 문제도 있었습니다. 저는 클리닝 과정에서 기판을 빼내고 장비에 장착하는 동안 기판 표면에 Native oxide가 생성되었기 때문일 것이라는 가설을 세웠습니다.
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  • 등록일 2025.04.06
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실리콘의 한계가 드러나고 있습니다. 10년 후에는 반도체 칩에서 실리콘이 아닌 새로운 물질의 비중이 늘어날 것입니다. 서로 다른 물질을 증착할 때, 재료의 표면을 고려하는 것이 중요한데 재료공학도로서 재료의 표면 및 계면을 이해하고
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  • 등록일 2023.06.21
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  • 직종구분 산업, 과학, 기술직
증착, 3D 집적 기술 등의 연구를 통해 차세대 반도체 공정 기술을 향상시킬 수 있습니다. 반도체 소자의 성능을 극대화하고 신뢰성을 높이는 새로운 공정 기법을 개발할 수 있습니다. 3) 뉴로모픽 컴퓨팅 및 AI 반도체 응용 연구 AI 연산에 최적
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  • 등록일 2025.03.31
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  • 직종구분 기타
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