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1 + Rf / Rin
여기서, Av는 비반전 증폭기의 이득
Rf는 피드백 저항
Rin는 입력 저항
3. 데이터시트
4. 실험
6. 실험 결과
※ 실험 1) R1 : 10k, R2 : 10k ※
설명 : 피크 대 피크가 둘 다 동일하게 2V가 나온 모습이다.
※ 실험 1) R1 : 20k, R2 : 10k ※
설명 : 피크
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실험순서를 반복한다.
B. 커패시터의 병렬 연결
b1. 그림19-5와 같은 회로와 같이 표19-3에 나와 있는 대로 커패시터를 병렬 연결한다.
b2. 전원은 1khz, 5Vp-p로 출력을 조절한다.
b3. DMM을 사용하여 저항에 걸린 전압 VR을 측정하고 오실로스코프로 커
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전압이 인덕터와 커패시터를 통과해도 거의 변화가 없음을 나타내주는 전압파형 그래프이다.
직렬공진회로에서 Q <1 일 때, 공진의 특성이 잘 나타나는 것을 알 수 있는 실험이었다.
실험2 : RLC 직렬공진회로 (Q >1 일 때)
R = 33Ω, C = 1mH, L = 0
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1V
2.7V
0.62V
3.06V
0.9V
3.37V
1.23V
3.6V
1.5V
3.98V
1.84V
4.2V
2.1V
4.59V
- 표(2)와 같이 세그먼트 상태에 따른 입력전압은 분포했으며 세그먼트 출력은 입력에 대해서 선형적으로 변함을 확인할 수 있다.
5. 결론
- 이번 실험에서 우리는 ADC와 DAC의 특성에 대해
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특성 실험회로.
실험B.
{I}_{C}-{V}_{CE}
특성측정
실험A와같이 트랜지스터 단자를 확인하고 회로를 꾸민다.
{V}_{RB}
가 되도록 Potentiometer
{R}_{!}
을 조절하여
{I}_{B}
가 10㎂되도록 한다.
이때 저항
{R}_{C}
양단간의 전압
{V}_{RC}
를 측정하여 기록하고
{I}
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실험은 이론과 실습을 결합하여 이해도를 높이고, 실제 문제 해결 능력을 기르는 데 중요한 기회가 되었다. 0. 요약
1. 실험 개요
가. 실험 목표
나. 필요한 이론적 배경
2. 실험 재료 및 방법
가. 실험 데이터 수집 및 진행 순서
나. 사용
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1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 준비물
4. 실험 결과
◎실험2. 예제 7. 4 스위칭 회로 응용
◎실험3. 특성곡선의 Y축 그리기
◎실험4. 특성곡선의 X축 그리기
◎실험5. 이 트랜지스터의 값은 얼마인가?
◎실험6. x축을 로 하고 y축을 로
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1에 표시된
구형파와 함께 그 파형을 도시하라.
④ <표>에 Vi(t)의 진폭과 주파수 및 Vo(t)의 진폭과 주파수를 (오실로스코프) 측정하여
기록하라.
⑤ Vi(t)를 정현파로 바꾸고, 위의 실험과정 ③,④를 반복하라.
(a) 회로소자에 따른 미분특성(
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필요한 기초 지식을 습득하게 된다. 따라서, 이론적으로 MOSFET의 동작 원리와 증폭 특성을 이해하는 것이 실험 성공의 열쇠이다. 1. 실험 결과 및 분석
1) 실험 데이터 및 논의
2. 실험 계획서
1) 수행 날짜
2) 실험 주제
3) 이론적 배경
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전압을 핀치오프 전압( Vp ) 라고 한다.
2. 실험 결과
실험 1. JFET을 이용한 증폭회로 구성
Function Generator의 전압 : 20mV
Channel B의 전압 : 42.85mV
전압 이득 : 2.14
3. 실험에 대한 고찰
이번 실험은 JFET의 특성에 관한 실험이었다. JFET을 사용해 증폭기
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